杭州瑞阳微电子有限公司
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2026-02
随着功率电子技术向“高频、高效、高可靠性”发展,IGBT技术正朝着材料创新、结构优化与集成化三大方向突破。材料方面,传统硅基IGBT的性能已接近物理极限,宽禁带半导体材料(如碳化硅SiC、氮化镓GaN)成为重要发展方向:SiCIG
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2026-02
IGBT与MOSFET、SiC器件在性能与应用场景上的差异,决定了它们在功率电子领域的不同定位。MOSFET作为电压控制型器件,开关速度快(通常纳秒级),但在中高压大电流场景下导通损耗高,更适合低压高频领域(如手机快充、PC电源)
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2026-02
IGBT在储能系统中的应用,是实现电能高效存储与调度的关键。储能系统(如锂电池储能、抽水蓄能)需通过变流器实现电能的双向转换:充电时,将电网交流电转换为直流电存储于电池;放电时,将电池直流电转换为交流电回馈电网。IGBT模块在变流
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2026-02
IGBT的诞生源于20世纪70年代功率半导体器件的技术瓶颈。当时,MOSFET虽输入阻抗高、开关速度快,但导通电阻大、通流能力有限;BJT(或GTR)虽通流能力强、导通压降低,却存在驱动电流大、易发生二次击穿的问题;门极可关断晶闸
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2026-02
工业是IGBT的传统重心场景,其性能升级持续推动工业生产向高效化、智能化转型。在工业变频器中,IGBT通过控制电机的转速与扭矩,实现对机床、生产线、风机等设备的精细调速——例如在汽车制造工厂的自动化生产线中,机器人手臂、输送线电机
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2026-02
IGBT相比其他功率器件具有明显特性优势,这些优势使其在中高压领域不可替代。首先是驱动便捷性:作为电压控制器件,栅极驱动电流只需微安级,驱动电路无需大功率驱动芯片,只需简单的电压信号即可控制,降低了电路复杂度与成本,这一点远超需毫
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