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2026-04
星期 五
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广州反应磁控溅射处理 广东省科学院半导体研究所供应
该研究所将磁控溅射技术与半导体器件封装工艺深度融合，开发了高性能金属化薄膜制备方案。针对MEMS器件的微型化需求，采用射频磁控溅射技术在硅基衬底上沉积Ti/Au复合金属层，通过控制靶基距与基片温度，使金属膜层厚度精度达到±2nm。
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2026-04
星期 五
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广州平衡磁控溅射用处 广东省科学院半导体研究所供应
广东省科学院半导体研究所在磁控溅射的等离子体诊断与调控方面开展了深入研究。通过集成朗缪尔探针与发射光谱诊断系统，实时监测磁控溅射过程中的电子温度、等离子体密度等关键参数，揭示了磁场强度与等离子体特性的内在关联。基于诊断数据建立的工
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2026-04
星期 五
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广州磁控溅射实验室 广东省科学院半导体研究所供应
设计非金属薄膜磁控溅射方案时，需充分考虑材料特性、设备性能和应用需求。非金属薄膜通常包括绝缘体和半导体材料，其溅射过程中对靶材纯度、溅射气体种类及压力、基板温度等参数的控制尤为重要。一个科学合理的溅射方案能够有效提升薄膜的均匀性、
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2026-04
星期 五
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广州射频磁控溅射特点 广东省科学院半导体研究所供应
广东省科学院半导体研究所在高功率脉冲磁控溅射（HiPIMS）技术的国产化应用中取得突破。其开发的HiPIMS系统峰值功率密度达到10⁷W/m²，使金属靶材的离化率提升至70%以上，制备的（Cr,Al）N涂层硬度较传统直流磁控溅射提
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2026-04
星期 五
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广州真空磁控溅射设备 广东省科学院半导体研究所供应
广东省科学院半导体研究所在磁控溅射技术的极性调控领域取得突破，其开发的双向脉冲双靶闭合式非平衡磁控溅射系统独具特色。该系统将两个磁控靶连接于同一脉冲电源，通过周期性变换靶材极性，使两靶交替充当阴极与阳极——阴极靶执行溅射沉积的同时
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