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2026-07
星期 五
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广州高温磁控溅射设备 广东省科学院半导体研究所供应
相较于电弧离子镀膜和真空蒸发镀膜等技术，磁控溅射镀膜技术制备的膜层组织更加细密，粗大的熔滴颗粒较少。这是因为磁控溅射过程中，溅射出的原子或分子具有较高的能量，能够更均匀地沉积在基材表面，形成致密的薄膜结构。这种细密的膜层结构有助于
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2026-07
星期 五
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广州真空磁控溅射平台 广东省科学院半导体研究所供应
广东省科学院半导体研究所在反应磁控溅射领域的工艺优化成果，尤其在化合物薄膜制备中形成技术特色。针对传统反应溅射中靶材“中毒”导致的沉积速率骤降问题，团队采用脉冲磁控溅射技术，通过优化脉冲频率与占空比，平衡了靶材溅射与表面反应速率。
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2026-07
星期 五
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广州真空磁控溅射流程 广东省科学院半导体研究所供应
氮化硅磁控溅射技术利用磁控溅射设备中磁场的作用，增强等离子体密度，提高入射粒子的能量和溅射效率，从而获得均匀且致密的氮化硅薄膜。氮化硅薄膜在半导体器件中常用作绝缘层、钝化层以及保护涂层，其优异的电学和机械性能对器件的稳定性和寿命有
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2026-07
星期 五
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广州脉冲磁控溅射流程 广东省科学院半导体研究所供应
磁控溅射定制服务针对用户不同的材料需求和工艺目标，提供个性化的溅射解决方案。定制过程中，首先需详细了解客户的材料特性、器件结构及应用环境，结合磁控溅射的物理原理，设计符合特定需求的溅射条件。定制不*涉及靶材的选择，还包括溅射参数的
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2026-07
星期 五
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广州双靶磁控溅射原理 广东省科学院半导体研究所供应
针对柔性电子器件的低温制备需求，研究所开发了低温磁控溅射工艺技术。通过优化溅射功率与工作气压参数，在室温条件下实现了ITO透明导电薄膜的高质量沉积，薄膜电阻率低至1.5×10⁻⁴Ω・cm，可见光透射率超过90%。创新的脉冲偏压辅助
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