上海MOSFET场效应管供应 过压过流保护元件 二极管 雷卯直销
金属-氧化物半导体场效应晶体管，简称 MOSFET。是一种可以广使用在模拟电路与数字电路的场效晶体管。MOSFET依照其“通道”（工作载流子）的极性不同，可分为“N型”与“P型” 的两种类型，通常又称为N-MOSFET与P-MOSFET, MOSFET 广用于电路电子开关。
MOSFET的选用技巧：
1. 选用N沟道还是P沟道，在低压侧开关中，应采用N沟道MOSFET，这是出于对关闭或导通器件所需电压的考虑。当MOSFET连接到总线及负载接地时，就要用高压侧开关。通常是出于对电压驱动的考虑；
2. 额定电压越大，器件的成本就越高，VDS必须覆盖电路额定工作电压范围并且注意温度曲线；
3. 确定额定电流，额定电流应是负载在所有情况下能够承受的比较大电流；
4. 选好额定电流后，还必须计算导通损耗。MOSFET在“导通”时就像一个可变电阻，由器件的RDS(ON)所确定，并随温度而较好变化。器件功率耗损可由Iload2×RDS(ON)计算也会随之按比例变化。对MOSFET施加的电压VGS越高，RDS(ON)就会越小；反之RDS(ON)就会要折中权衡的地方。对便携式设计来说，采用较设计，可采用较高的电压。注意RDS(ON)电阻会随着电流轻微上升；
5. 决定开关性能，是栅极/漏极、栅极/ 源极及漏极源极电容。这些电容会在器件中产生开关损耗，因为在每次开关时都要低，器件效率也下降。为计算开关过程中器件的总损耗，设计人员必须计算开通过程中的损耗(Eon)和关闭过程中的损耗(Eoff)。
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