上海贸易Mitsubishi三菱可控硅模块代理商 江苏芯钻时代电子科技供应

    因而一般家电中选用可控硅的电流值为实际工作电流值的2~3倍。同时，可控硅承受断态重复峰值电压VDRM和反向重复峰值电压VRRM时的峰值电流应小于器件规定的IDRM和IRRM。[1]·通态(峰值)电压VTM的选择：它是可控硅通以规定倍数额定电流时的瞬态峰值压降。为减少可控硅的热损耗，应尽可能选择VTM小的可控硅。[1]·维持电流：IH是维持可控硅保持通态所必需的小主电流，它与结温有关，结温越高，则IH越小。[1]·电压上升率的：dv/dt指的是在关断状态下电压的上升斜率，这是防止误触发的一个关键参数。此值超限将可能导致可控硅出现误导通的现象。由于可控硅的制造工艺决定了A2与G之间会存在寄生电容。[1]双向可控硅安装编辑对负载小，或电流持续时间短(小于1秒钟)的双向可控硅，可在自由空间工作。但大部分情况下，需要安装在散热器或散热的支架上，为了减小热阻，可控硅与散热器间要涂上导热硅脂。[1]双向可控硅固定到散热器的主要方法有三种，夹子压接、螺栓固定和铆接。前二种方法的安装工具很容易取得。很多场合下，铆接不是一种推荐的方法。[1]夹子压接：是推荐的方法，热阻小。夹子对器件的塑封施加压力。这同样适用于非绝缘封装（sot82和sot78）和绝缘封装。

    j-a)ThermalResistanceJunction-to-ambient热阻-结到环境-℃/WIGTTriggeringgatecurrent门极触发电流为了使可控硅可靠触发，触发电流Igt选择25度时max值的α倍，α为门极触发电流—结温特性系数，查数据手册可得，取特性曲线中低工作温度时的系数。若对器件工作环境温度无特殊需要，通常选型时α取大于。mAIHHoldingCurrent维持电流维持可控硅维持通态所必需的小主电流，它与结温有关，结温越高，则IH越小。mAILLatchingCurrent(IGT3)接入电流(第三象限)/擎住电流擎住电流是晶闸管刚从断态转入通态并移除触发信号后，能维持导通所需的小电流。对同一晶闸管来说，通常IL约为IH的2--4倍。mAIDOff-stateleakagecurrent断态漏电流-mAVGTTriggeringgatevoltage门极触发电压—可以选择Vgt25度时max值的β倍。β为门极触发电压—结温特性系数，查数据手册可得，取特性曲线中低工作温度时的系数。若对器件工作环境温度无特殊需要，通常选择时β取1~。

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