安徽优势二极管供应商 江苏芯钻时代电子科技供应

    每个沟道区域202在两个相邻的沟槽22之间延伸，并且因此对于两个相邻的晶体管t1是公共的。沟道区域例如顶部具有接触区域204(p+)。接触区域204比沟道区域202更重地被p型掺杂。每个晶体管进一步包括位于沟道区域下方的漏极区域206(n-)。作为示例，每个漏极区域206在两个相邻的沟槽22之间延伸并且对于相邻的晶体管t1是公共的。漏极区域206可以在沟槽下方延伸，并且漏极区域于是可以在沟槽下方连接。漏极区域例如在衬底下部部分上延伸的接触区域208(n+)的顶部上并且与接触区域208(n+)接触。区域208比漏极区域206更重地被掺杂。区域208电连接到端子k。每个晶体管进一步包括源极区域210(n+)，其推荐地位于抵靠层304。源极区域210例如比漏极区域206更重地被n型掺杂。当如上所述的晶体管处于导通状态时，沟道区域202中的位于抵靠层304的垂直传导沟道将源极区域210连接到漏极区域206。晶体管的沟道长度因此对应于沟道区域202的厚度。选择沟道区域202和源极区域210的注入能量来获得期望的沟道长度。作为示例，区域202的厚度在从150nm到800nm的范围内。在二极管10中，晶体管t1的栅极区域302、源极区域210和接触区域204推荐地电连接到阳极端子a。这使得晶体管能够限定二极管10。

    1N5399硅整流二极管1000V,,1N5400硅整流二极管50V,3A,(Ir=5uA,Vf=1V,Ifs=150A)1N5401硅整流二极管100V,3A,1N5402硅整流二极管200V,3A,1N5403硅整流二极管300V,3A,1N5404硅整流二极管400V,3A,1N5405硅整流二极管500V,3A,1N5406硅整流二极管600V,3A,1N5407硅整流二极管800V,3A,1N5408硅整流二极管1000V,3A,1S1553硅开关二极管70V,100mA,300mW,,1S1554硅开关二极管55V,100mA,300mW,,1S1555硅开关二极管35V,100mA,300mW,,1S2076硅开关二极管35V,150mA,250mW,8nS,3PF,450ma,Ir≤1uA,Vf≤,≤,1S2076A硅开关二极管70V,150mA,250mW,8nS,3PF,450ma,60V,Ir≤1uA,Vf≤,≤,1S2471硅开关二极管80V,Ir≤≤,≤2PF,1S2471B硅开关二极管90V,150mA,250mW,3nS,3PF,450ma,1S2471V硅开关二极管90V,130mA,300mW,4nS,2PF,400ma,1S2472硅开关二极管50V,Ir≤≤,≤2PF,1S2473硅开关二极管35V,Ir≤≤,≤3PF,1S2473H硅开关二极管40V,150mA,300mW,4nS,3PF,450ma,2AN1二极管5A,f=100KHz2CK100硅开关二极管40V,150mA,300mW,4nS,3PF,450ma,2CK101硅开关二极管70V,150mA,250mW,8nS,3PF,450ma,2CK102硅开关二极管35V,150mA,250mW,8nS,3PF,450ma,2CK103硅开关二极管20V,100mA,2PF,100ma,2CK104硅开关二极管35V。

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