广东哪里有MOS管现货 江苏芯钻时代电子科技供应

    对于电池供电的便携式电子设备来说，电路的工作电压低(以锂电池为例，工作电压～)，因此，电源芯片的工作电压较低。MOS管具有很低的导通电阻，消耗能量较低，在目前流行的高效DC-DC芯片中多采用MOS管作为功率开关。但是由于MOS管的寄生电容大，一般情况下NMOS开关管的栅极电容高达几十皮法。这对于设计高工作频率DC-DC转换器开关管驱动电路的设计提出了更高的要求。在低电压ULSI设计中有多种CMOS、BiCMOS采用自举升压结构的逻辑电路和作为大容性负载的驱动电路。这些电路能够在低于1V电压供电条件下正常工作，并且能够在负载电容1～2pF的条件下工作频率能够达到几十兆甚至上百兆赫兹。本文正是采用了自举升压电路，设计了一种具有大负载电容驱动能力的，适合于低电压、高开关频率升压型DC-DC转换器的驱动电路。电路基于SamsungAHP615BiCMOS工艺设计并经过Hspice仿真验证，在供电电压，负载电容为60pF时，工作频率能够达到5MHz以上。MOS开关管损失不管是NMOS还是PMOS，导通后都有导通电阻存在，这样电流就会在这个电阻上消耗能量，这部分消耗的能量叫做导通损耗。选择导通电阻小的MOS管会减小导通损耗。现在的小功率MOS管导通电阻一般在几十毫欧左右，几毫欧的也有。

    1.三个极的判定G极(gate)—栅极，不用说比较好认S极(source)—源极，不论是P沟道还是N沟道，两根线相交的就是D极(drain)—漏极，不论是P沟道还是N沟道，是单独引线的那边，中间衬底箭头方向和寄生二极管的箭头方向总是一致的：要么都由S指向D，要么都有D指向，那一极连接输出端2>控制极电平为？V时MOS管导通3>控制极电平为？V时MOS管截止NMOS：D极接输入，S极接输出PMOS：S极接输入，D极接输出反证法加强理解NMOS假如：S接输入，D接输出由于寄生二极管直接导通，因此S极电压可以无条件到D极，MOS管就失去了开关的作用PMOS假如：D接输入，S接输出同样失去了开关的作用—导通时Ug>Us,Ugs>Ugs(th)时导通P沟道—导通时Ug|Ugs(th)|7.相关概念BJTBipolarJunctionTransistor双极性晶体管，BJT是电流控制器件；FETFieldEffectTransistor场效应晶体管，FET是电压控制器件.按结构场效应管分为：结型场效应（简称JFET）、绝缘栅场效应（简称MOSFET）两大类按沟道材料：结型和绝缘栅型各分N沟道和P沟道两种.按导电方式：耗尽型与增强型，结型场效应管均为耗尽型，绝缘栅型场效应管既有耗尽型的，也有增强型的。

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