
且红笔所接为K极,黑笔接的为G极,剩下即为A极。若正、反向测指示均为几十至几百欧,则必为双向可控硅。再将旋钮拨至R×1或R×10挡复测,其中必有一次阻值稍大,则稍大的一次红笔接的为G极,黑笔所接为T1极,余下是T2极。2、性能的差别:将旋钮拨至R×1挡,对于1~6A单向可控硅,红笔接K极,黑笔同时接通G、A极,在保持黑笔不脱离A极状态下断开G极,指针应指示几十欧至一百欧,此时可控硅已被触发,且触发电压低(或触发电流小)。然后瞬时断开A极再接通,指针应退回∞位置,则表明可控硅良好。对于1~6A双向可控硅,红笔接T1极,黑笔同时接G、T2极,在保证黑笔不脱离T2极的前提下断开G极,指针应指示为几十至一百多欧(视可控硅电流大小、厂家不同而异)。然后将两笔对调,重复上述步骤测一次,指针指示还要比上一次稍大十几至几十欧,则表明可控硅良好,且触发电压(或电流)小。若保持接通A极或T2极时断开G极,指针立即退回∞位置,则说明可控硅触发电流太大或损坏。对于单向可控硅,闭合开关K,灯应发亮,断开K灯仍不息灭,否则说明可控硅损坏。对于双向可控硅,闭合开关K,灯应发亮,断开K,灯应不息灭。然后将电池反接,重复上述步骤,均应是同一结果,才说明是好的。
j-a)ThermalResistanceJunction-to-ambient热阻-结到环境-℃/WIGTTriggeringgatecurrent门极触发电流为了使可控硅可靠触发,触发电流Igt选择25度时max值的α倍,α为门极触发电流—结温特性系数,查数据手册可得,取特性曲线中低工作温度时的系数。若对器件工作环境温度无特殊需要,通常选型时α取大于。mAIHHoldingCurrent维持电流维持可控硅维持通态所必需的小主电流,它与结温有关,结温越高,则IH越小。mAILLatchingCurrent(IGT3)接入电流(第三象限)/擎住电流擎住电流是晶闸管刚从断态转入通态并移除触发信号后,能维持导通所需的小电流。对同一晶闸管来说,通常IL约为IH的2--4倍。mAIDOff-stateleakagecurrent断态漏电流-mAVGTTriggeringgatevoltage门极触发电压—可以选择Vgt25度时max值的β倍。β为门极触发电压—结温特性系数,查数据手册可得,取特性曲线中低工作温度时的系数。若对器件工作环境温度无特殊需要,通常选择时β取1~。
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