广东优势英飞凌可控硅销售价格 江苏芯钻时代电子科技供应

    1）.过压击穿可控硅不能承受电压而损坏，可控硅对过压的承受能力几乎没有时间的，即使在几毫秒的短时间内过压也会被击穿。过压击穿特征：芯片中有一个光洁的小孔。检查可控硅两端RC吸收回路是否有烧坏或失效的，即可避免干扰脉冲所引起的瞬间过压。（2）过流击穿电流超过额定电流，并在可控硅芯片内部产生热效应，使芯片温度升高，失效且不能恢复。过流击穿特征：电子元器件表面有烧焦现象，痕迹特征是芯片出现坑洞。选择可控硅耐压2~3倍。（3）过热击穿工作电流并不超过可控硅额定电流的情况下而发生的热击穿。特征：电子元器件表面有烧焦现象，痕迹特征是芯片出现坑洞。注意环境温度，保持可控硅与散热器之间的接触面良好。11.可控硅电压说明功率器件的耐压与市电输入电压有直接关系，通常情况下，功率器件的耐压是市电输入电压的三倍。故，正反向耐压计算公式为：输入电压×3=功率器件的額定电压。例如：中国的市电两相输入电压为180V~240V，国标是以220V为标准值，功率器件在计算其耐压时是取平均值的，即以200V为基准，则计算公司为：200V×3≈600V，三相电输入的280V～380V，三相电的应用主要是电机电路，电压落差也很大。故功率器件取其平均值也分几个档次：265V。

    但因TRIAC能双向导通之故，在正负半周均能触发、可作为全波功率控制之用，因此TRIAC除具有SCR的优点，更方便于交流功率控制，图(a)为TRIAC相位控制电路，只适当的调整RC时间常数即可改变它的激发角，图(b)，(c)分别是激发角为30度时的VT1-T2及负载的电压波形，一般TRIAC所能控制的负载远比SCR小，大体上而言约在600V，40A以下。15.可控硅特性1）静态的伏安特性第I象限的是正向特性有阻断状态和导通状态之分。在正向阻断状态时，可控硅的伏安特性是一组随门极电流的增加而不同的曲线簇。当IG足够大时，可控硅的正向转折电压很小，可以看成与一般二极管一样。第III象限的是反向特性可控硅的反向特性与一般二极管的反向特性相似。IG=0时，器件两端施加正向电压，为正向阻断状态，只有很小的正向漏电流流过，正向电压超过临界极限即正向转折电压Ubo，则漏电流急剧增大，器件开通随着门极电流幅值的增大，正向转折电压降低导通后的可控硅特性和二极管的正向特性相仿可控硅本身的压降很小，在1V左右导通期间，如果门极电流为零，并且阳极电流降至接近于零的某一数值IH以下，则可控硅又回到正向阻断状态。IH称为维持电流。可控硅上施加反向电压时。

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