
进而控制Uge的下降速度;当电容电压上升至VZ2的击穿电压时,VZ2击PDF文件使用"pdfFactoryPro"试用版本创建江苏宏微科技有限公司设计天地与应用指南穿,Uge被钳位在一个固定的值上,慢降栅压过程结束。同时驱动电路通过光耦输出故障信号。如果在延时过程中,故障信号消失了,则a点电压降低,VT1恢复截止,C1通过R2放电,d点电位升高,VT2也恢复截止,Uge上升,电路恢复正常工作状态。,尤其是在短路故障的情况下,如不采取软关断措施,它的临界电流下降率将达到kA/μS。极高的电压下降率将会在主电路的分布电感上感应出很高的过电压,导致IGBT关断时电流电压的运行轨迹超出安全工作区而损坏。所以从关断的角度考虑,希望主电路的电感和电流下降率越小越好。但是对IGBT的开通来说,集电极电路的电感有利抑制反向二极管的反向恢复电流和电容器充放电造成的峰值电流,能减小开通损耗,承受较高的开通电流上升率。一般情况下,IGBT开关电路的集电极不需要串联电感,其开通损耗可以通过改善栅极驱动条件加以控制。,通常都要给IGBT主电路设计关断吸收缓冲电路。IGBT的关断缓冲吸收电路可分为充放电型和放电阻止型。充放电型有RC吸收和RCD吸收两种。
且所述压紧部32远离所述连接板311的一端朝背离所述挡板11的一侧斜向下延伸。本实施例,由于所述压紧部在工作时,远离所述连接板的一端会抵设在所述igbt单管的上侧,即相比于自然状态下,所述压紧部远离所述连接板的一端在工作时会略微向上抬起。本实施例,使所述压紧部在自然状态下,远离所述连接板的一端朝背离所述挡板的一侧斜向下延伸,这样,可以使所述压紧部远离所述连接板的一端在工作时仍然能够可靠地抵设在所述igbt单管上。如图2和图3所示,可选的,所述压紧部32远离所述连接部31的一端设置有工装槽321。本实施例,可以通过所述工装槽辅助抬起所述压紧部远离所述连接部的一端;具体的,可以将与所述工装槽适配的工装插入所述工装槽内,然后通过所述工装向上勾起所述压紧部的该端部,就可以在该压紧部的下方布置igbt单管了。本实施例中所述压紧部上的工装槽,与工装相互配合可以极大的方便所述压紧件的使用,提高所述igbt单管的安装效率。如图2和图3所示,作为上述实施例的一可选实施方式,在所述压紧部32远离所述连接板311的一端朝背离所述挡板11的一侧斜向下延伸的情况下,所述压紧部32远离所述连接部31的端部还斜向上翘起。
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