
空穴为少数载流子。[6]因此,在本征半导体的两个不同区域掺入三价和PN结五价杂质元素,便形成了P型区和N型区,根据N型半导体和P型半导体的特性,可知在它们的交界处就出现了电子和空穴的浓度差异,电子和空穴都要从浓度高的区域向浓度低的区域扩散,它们的扩散使原来交界处的电中性被破坏。[6]二极管PN结单向导电性在PN结外加正向电压V,在这个外加电场的作用下,PN结的平衡状态被打破,P区中的空穴和N区的电子都要PN结移动,空穴和PN结P区的负离子中和,电子和PN结N区的正离子中和,这样就使PN结变窄。随着外加电场的增加,扩散运动进一步增强,漂移运动减弱。当外加电压超过门槛电压,PN结相当于一个阻值很小的电阻,也就是PN结导通。[6]二极管主要分类编辑二极管点接触型二极管点接触型二极管的PN结接触面积小,不能通过较大的正向电流和承受较高的反向电压,但它的高频性能好,适宜在高频检波电路和开关电路中使用[5]。二极管面接触型二极管面接触型二极管的PN结接触面积大,可以通过较大的电流,也能承受较高的反向电压,适宜在整流电路中使用[5]。二极管平面型二极管平面型二极管在脉冲数字电路中作开关管使用时PN结面积小,用于大功率整流时PN结面积较大[5]。
所述二极管结构包括覆盖所述衬底和所述沟槽的传导层,所述传导层电连接到所述衬底以及电连接到所述一传导区域和所述第二传导区域。在一些实施例中,所述传导层与所述衬底接触或者与所述衬底分离小于300nm。在另一方面,提供了一种二极管。该二极管包括:衬底,具有一沟槽;阴极和阳极,耦合到所述衬底;一传导区域,位于所述沟槽中并且与所述衬底分离一距离,所述一距离短于10nm;以及第二传导区域,位于所述沟槽中并且比所述一传导区域更深地延伸。在一些实施例中,所述衬底包括第二沟槽,所述二极管进一步包括:至少一个晶体管,具有在所述一沟槽和所述第二沟槽之间延伸的至少一个沟道区域,所述一传导区域限定所述至少一个晶体管的栅极。在一些实施例中,所述二极管包括:传导层,覆盖所述衬底以及所述一沟槽和所述第二沟槽;以及接触区域,形成在所述衬底中并且将所述沟道区域电连接到所述传导层。在一些实施例中,所述一传导区域和所述第二传导区域是半导体区域,所述沟道区域和所述一传导区域掺杂有相反的导电类型。在一些实施例中,所述二极管包括漏极区域,所述漏极区域在所述沟道区域下方以及在所述一沟槽和所述第二沟槽之间延伸在一些实施例中。
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