igbt芯片的边缘还设置有终端保护区域，其中，终端保护区域包括在n型耐压漂移层上设置的多个p+场限环或p型扩散区；从而通过多个p+场限环或p型扩散区对igbt芯片进行耐压保护，在实际应用中，由于p+场限环或p型扩散区的数量与igbt芯片的电压等级有关，因此，关于p+场限环或p型扩散区的数量，本发明实施例对此不作限制说明。具体地，图7示出了一种igbt芯片的表面结构图，如图7所示，一发射极单元金属2为一发射极单元101在一表面中的设置位置，空穴收集区电极金属3为电流检测区域20的电极空穴收集区在一表面中的设置位置。当改变电流检测区域20的形状时，如指状或者梳妆时，igbt芯片的表面结构如图8所示，本发明实施例对此不作限制说明。在图7的基础上，图9为图7中的空穴收集区电极金属3按照a-a’方向的横截图，如图9所示，电流检测区域20的空穴收集区8与空穴收集区电极金属3接触，在每个沟槽内填充有多晶硅5，此外，在两个沟槽中间，还设置有p阱区7和n+源区6，以及，在沟槽与多晶硅5中间设置有氧化物4，以防多晶硅5发生氧化。此外，在一表面和第二表面之间，还设置有n型耐压漂移层9和导电层，这里导电层包括p+区11，以及在p+区11下面设置有公共集电极金属12。
图2是本实用新型装有IGBT功率组件和直流母线电容组件的结构示意图；图3是本实用新型装有IGBT功率组件的结构示意图；图4是本实用新型的直流母线电容组件的结构示意图；图5是本实用新型的交流输出铜排的结构示意图；图6是本实用新型的分解结构示意图；图7是本实用新型的分解结构示意图。其中：1：箱体2：IGBT功率组件3：直流母线电容组件4：叠层母排5：一绝缘层6：液冷换热器7：钣金隔板8：交流输出铜排9：放电电阻10：箱体底座11：直流母线电容12：钣金固定板13：正叠层铜排14：负叠层铜排15：第二绝缘层16：IGBT驱动板17：IGBT元件18：连接口19：汇流爪20：铜排21：绝缘固定块22：缺口23：小孔24：大孔25：连接孔26：凹槽27：把手。具体实施方式以下参照附图及实施例对本实用新型进行详细的说明。如图1-4所示，本实用新型的IGBT功率模块，包括箱体1以及设置在箱体内的IGBT功率组件2和直流母线电容组件3，箱体包括顶部的散热板和底部的箱体底座、连接散热板和箱体底座的侧板和箱体底座上方设置的护板。箱体内还包括叠层母排4、一绝缘层5、液冷换热器6、钣金隔板7、交流输出铜排8和放电电阻9。所述的直流母线电容组件包括多个直流母线电容11和钣金固定板12。
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