山西定制Mitsubishi三菱IGBT模块 江苏芯钻时代电子科技供应

    一个所述igbt器件的单元结构中包括一个所述栅极结构以及形成于所述栅极结构两侧的所述第二屏蔽电极结构，在所述栅极结构的每一侧包括至少一个所述第二屏蔽电极结构。步骤七、如图3e所示，在所述漂移区1表面依次形成电荷存储层14和第二导电类型掺杂的阱区2。所述阱区2位于所述漂移区1表面。所述电荷存储层14位于所述漂移区1的顶部区域且位于所述漂移区1和所述阱区2交界面的底部，所述电荷存储层14具有一导电类重掺杂；所述电荷存储层14用于阻挡第二导电类载流子从所述漂移区1中进入到所述阱区2中。各所述沟槽101穿过所述阱区2和所述电荷存储层14且各所述沟槽101的进入到所述漂移区1中；被所述多晶硅栅6侧面覆盖的所述阱区2的表面用于形成沟道。所述电荷存储层14的掺杂浓度至少大于所述漂移区1的掺杂浓度的一个数量级。步骤八、如图3f所示，采用光刻定义加一导电类型重掺杂离子注入工艺在所述多晶硅栅6两侧的所述阱区2的表面形成发射区7。步骤九、如图3g所示，形成层间膜10。如图1所示，接触孔、正面金属层12，所述接触孔穿过所述层间膜10；对所述正面金属层12进行图形化形成金属栅极和金属源极。所述多晶硅栅6通过顶部对应的接触孔连接到所述金属栅极。

    附图说明图1为本发明结构示意图；图2为本发明限压电路结构示意图。图中：100限压电路、110一齐纳二极管、120第二齐纳二极管、200控制电路、300限流电路。具体实施方式下面将结合本发明实施例中的附图，对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例是本发明一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本发明保护的范围。本发明提供一种igbt驱动电路，将分立器件实现的限压电路集成在芯片中，节省了面积，降低了成本，将限压电路与igbt的驱动电路结合在一个功能块里进一步节省了面积和成本，同时借助igbt的驱动电路中的电阻限制了限压支路的电流，降低了功耗，保护了驱动芯片的安全，请参阅图1，包括限压电路100、控制电路200和限流电路300；请参阅图1-2，限压电路100包括：一齐纳二极管110；第二齐纳二极管120与一齐纳二极管110串联，两个齐纳二极管的选择由驱动输出限压的大小决定；请再次参阅图1，控制电路200包括限压电路控制输入lp、电阻r2、下拉电阻r3和控制管n3，限压电路控制输入lp与电阻r2串联，电阻r2与控制管n3相串联。

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