江西哪里有Mitsubishi三菱IGBT模块 江苏芯钻时代电子科技供应

    3、本发明还设置了电荷存储层，电荷存储层结合第二屏蔽电极结构能更好的防止集电区注入的少子进入到沟道区域中，从而能降低降低器件的饱和压降。附图说明下面结合附图和具体实施方式对本发明作进一步详细的说明：图1是本发明实施例一实施例igbt器件的结构示意图；图2是本发明实施例第二实施例igbt器件的结构示意图；图3a-图3g是本发明一实施例方法各步骤中器件的结构示意图。具体实施方式本发明实施例一实施例igbt器件：如图1所示，是本发明实施例一实施例igbt器件的结构示意图，本发明一实施例igbt器件包括：漂移区1，由形成于半导体衬底(未显示)表面的一导电类型轻掺杂区组成。本发明实施例一实施例中，所述半导体衬底为硅衬底；在所述硅衬底表面形成有硅外延层，所述漂移区1直接由一导电类型轻掺杂的所述硅外延层组成，所述阱区2形成于所述漂移区1表面的所述硅外延层中。第二导电类型掺杂的阱区2，形成于所述漂移区1表面。在所述漂移区1的底部表面形成有由第二导电类重掺杂区组成的集电区9。电荷存储层14，所述电荷存储层14形成于所述漂移区1的顶部区域且位于所述漂移区1和所述阱区2交界面的底部，所述电荷存储层14具有一导电类重掺杂。

    所述第二屏蔽多晶硅和对应的所述沟槽的底部表面和侧面之间通过第二屏蔽介质层隔离。被所述多晶硅栅侧面覆盖的所述阱区的表面用于形成沟道。由一导电类型重掺杂的发射区形成在所述多晶硅栅两侧的所述阱区的表面。所述多晶硅栅通过顶部对应的接触孔连接到由正面金属层组成的金属栅极，所述接触孔穿过层间膜。所述发射区通过顶部的对应的接触孔连接到由正面金属层组成的金属源极；令所述发射区顶部对应的接触孔为源极接触孔，所述源极接触孔还和穿过所述发射区和所述阱区接触。所述一屏蔽多晶硅和所述第二屏蔽多晶硅也分布通过对应的接触孔连接到所述金属源极。在所述集电区的底部表面形成有由背面金属层组成的金属集电极。通过形成于所述栅极结构两侧的具有沟槽式结构的所述第二屏蔽电极结构降低igbt器件的沟槽的步进，从而降低igbt器件的输入电容(cies)、输出电容(coes)和逆导电容(cres)，提高器件的开关速度；通过将所述一屏蔽多晶硅和所述第二屏蔽多晶硅和所述金属源极短接提高器件的短路电流能力；通过所述电荷存储层减少器件的饱和压降。进一步的改进是，所述半导体衬底为硅衬底；在所述硅衬底表面形成有硅外延层，所述漂移区直接由一导电类型轻掺杂的所述硅外延层组成。

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