江苏加工Mitsubishi三菱IGBT模块工厂直销 江苏芯钻时代电子科技供应

    也可以用模块中的2个半桥电路并联构成电流规格大2倍的半桥模块，即将分别将G1和G3、G2和G4、E1和E3、E2和E4、E1C2和E3短接。4.三相桥模块，6in1模块三相桥（3-Phasebridge模块的内部等效电流如图5所示。图5三相桥模块的内部等效电路三相桥模块也称为6in1模块，用于直接构成三相桥电路，也可以将模块中的3个半桥电路并联构成电流规格大3倍的半桥模块。三相桥常用的领域是变频器和三相UPS、三相逆变器，不同的应用对IGBT的要求有所不同，故制造商习惯上会推出以实际应用为产品名称的三相桥模块，如3-Phaseinvertermodule（三相逆变器模块）等。，CBI模块，7in1模块欧美厂商一般将包含图6所示的7in1模块称为CBI模块（Converter-Brake-InverterModule，整流-刹车-逆变）模块，日系厂商则习惯称其为PIM模块。图67in1模块内部的等效电路制造商一般都会分别给出模块中个功能单元的参数，表1是IXYS的MUBW15-12T7模块的主要技术规格。表1MUBW15-12T7的主要技术规格三相整流桥断路器三相逆变器NTCVRRM=1600VVCES=1200VVCES=1200VR25=ΩIFAVM=38AIC25=30AIC25=30AB25/50=3375KIFSM=300AVCE（sat）=（sat）=其中，断路器和三相逆变器给出的都是IGBT管芯的技术规格。

    3、本发明还设置了电荷存储层，电荷存储层结合第二屏蔽电极结构能更好的防止集电区注入的少子进入到沟道区域中，从而能降低降低器件的饱和压降。附图说明下面结合附图和具体实施方式对本发明作进一步详细的说明：图1是本发明实施例一实施例igbt器件的结构示意图；图2是本发明实施例第二实施例igbt器件的结构示意图；图3a-图3g是本发明一实施例方法各步骤中器件的结构示意图。具体实施方式本发明实施例一实施例igbt器件：如图1所示，是本发明实施例一实施例igbt器件的结构示意图，本发明一实施例igbt器件包括：漂移区1，由形成于半导体衬底(未显示)表面的一导电类型轻掺杂区组成。本发明实施例一实施例中，所述半导体衬底为硅衬底；在所述硅衬底表面形成有硅外延层，所述漂移区1直接由一导电类型轻掺杂的所述硅外延层组成，所述阱区2形成于所述漂移区1表面的所述硅外延层中。第二导电类型掺杂的阱区2，形成于所述漂移区1表面。在所述漂移区1的底部表面形成有由第二导电类重掺杂区组成的集电区9。电荷存储层14，所述电荷存储层14形成于所述漂移区1的顶部区域且位于所述漂移区1和所述阱区2交界面的底部，所述电荷存储层14具有一导电类重掺杂。

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