进一步的，所述安装盖的表面设置有用于连接外部工具的连接部。进一步的，所述连接部为连接孔。进一步的，所述安装盖的表面具有相背设置的让位缺口，二让位缺口之间形成连接筋，所述连接孔设置于连接筋上并贯通二让位缺口。进一步的，所述连接部与固定环同侧设置。一种高压接触器，包括机架以及设置在机架上的至少一组开关机构，所述开关机构包括真空接触器和与真空接触器连接的熔断器装置，所述熔断器装置为上述所述的熔断器装置。进一步的，所述真空接触器的外壳一体成型有一连接盖，所述熔断器装置的安装筒一体成型有第二连接盖，所述一连接盖与第二连接盖相盖合固定，连接真空接触器和熔断器装置的导电板穿设于一连接盖和第二连接盖内。通过本发明提供的技术方案，具有如下有益效果：装配时，先将熔断器套接于安装盖的固定环内，使二者形成一个固定的整体，熔断器和安装盖同步装配至安装筒上；拆卸更换时，只要作用于安装盖上，安装盖便于施力，安装盖的掀离同步带动熔断器脱离，无需再针对熔断器进行操作，也无需增大熔断器与安装筒的内壁间隙，实现快速拆装，操作简便，极其有效的解决了现有技术中的问题。
对于每一种材料它是一个常数。当熔体金属变为蒸气时电弧始燃，在燃弧过程中电流由限流值降至零，此阶段的I2t即为熔断I2t，它是一个变量。这一过程主要依靠填料被腐蚀而吸收能量。在设计快速熔断器时，为满足半导体器件不断提高的额定电流，要采取许多措施，而不能简单地用算术方法来选择快速熔断器。实验证明，当额定电流增加1倍时，快速熔断器的I2t值是原来的4倍，而半导体器件I2t值的增加要小的多。要使快速熔断器降低I2t值有较大的难度，只有多方面采取措施，如合理的熔片分布、缩短熔体长度、减小电弧栅和提高灭弧材料的熄弧能力等。I2t值是精选快速熔断器的重要指标之一。绝缘电阻快速熔断器分断后的绝缘电阻的指标由经验证明是很重要的。20世纪90年代大量的产品中加入了钾盐、钠盐，钠盐可以提高电弧栅的分断能力。而制造较差的快速熔断器分断后绝缘电阻大多低于Ω，甚至有漏电现象，特殊情况下切断故障后经一段时间又重燃，这将引起更大的故障。质量好的快速熔断器（加入了钾盐、钠盐）分断后应形成Ω以上的绝缘电阻。快速熔断器在分断10min后能达到大于1～30MΩ的绝缘电阻，可认为有良好的可靠性。另外，使用快速熔断器时还要考虑其寿命及可靠性。
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