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    二极管的反向饱和电流受温度影响很大。[4]一般硅管的反向电流比锗管小得多，小功率硅管的反向饱和电流在nA数量级，小功率锗管在μA数量级。温度升高时，半导体受热激发，少数载流子数目增加，反向饱和电流也随之增加。[4]二极管击穿特性外加反向电压超过某一数值时，反向电流会突然增大，这种现象称为电击穿。引起电击穿的临界电压称为二极管反向击穿电压。电击穿时二极管失去单向导电性。如果二极管没有因电击穿而引起过热，则单向导电性不一定会被破坏，在撤除外加电压后，其性能仍可恢复，否则二极管就损坏了。因而使用时应避免二极管外加的反向电压过高。[5]反向击穿按机理分为齐纳击穿和雪崩击穿两种情况。在高掺杂浓度的情况下，因势垒区宽度很小，反向电压较大时，破坏了势垒区内共价键结构，使价电子脱离共价键束缚，产生电子-空穴对，致使电流急剧增大，这种击穿称为齐纳击穿。如果掺杂浓度较低，势垒区宽度较宽，不容易产生齐纳击穿。[5]另一种击穿为雪崩击穿。当反向电压增加到较大数值时，外加电场使电子漂移速度加快，从而与共价键中的价电子相碰撞，把价电子撞出共价键，产生新的电子-空穴对。新产生的电子-空穴被电场加速后又撞出其它价电子。

    发光二极管在植物工厂中的应用越来越广，LED光源的波宽窄、能耗低、体积小、效率高、耐衰老、热耗低的优点，使其成为了众多光质研究人员使用的新光源。至今为止，大量应用LED光源研究光环境对植物宏观的形态、产量、品质的影响，以及对细胞显微结构、植物分化、次生代谢物质的影响的研究层出不穷。[7]发光二极管发光二极管封装件的散热编辑在半导体照明装置中，通常采用高功率高亮度的发光二极管（LED）作为光源，当在发光二极管中通以电流时，电子与空穴会直接复合，从而释放能量发光，其具有功耗小、使用寿命长等优点，在照明领域应用广。然而，目前的光电转换效率较低，有很大比重转化为热能，故LED芯片上的功率密度很。的功率密度对器件的散热也提出了高的要求，发光二极管中封装件散热问题已成为影响其产业化发展的重大问题。[1]发光二极管散热冷却方式LED的散热机构一般有这几种形式：1．利用热传导金属或散热鳍片与LED封装件贴合散热。2．加装风扇强制散热。3．在封装件中设置流通液体散热。4．热管在封装件中的结合，利用热管内工作介质相变时可吸收或散发热能。[1]发光二极管原理与特点热管散热利用物质相变的原理，具有可吸收或散发高热能的特性。

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