传统焊锡)的高功率模块的制备方法。本发明的另一目的在于，提供一种奈米银粒子与微米银粒子的特定比例范围，且因主要组成银粒子的尺寸为100nm以下的奈米银粒子，故所使用的热处理温度低于250℃，可避免电子组件在封装制程中受到高温而破坏的高功率模块的制备方法。本发明的再一目的在于，提供一种采用全新非接触式探针点胶技术将可避免破坏基板的高功率模块的制备方法。本发明的又一目的在于，提供一种添加具有特殊设计之有机银离子化合物作为银前驱物，可有效提高烧结后热界面材料层之致密性，提高导热性质与机械性质，并且有效降低材料成本之高功率模块之制备方法。为达以上目的，本发明所采用的技术方案是：一种高功率模块的制备方法，其至少包含以下步骤：步骤一：提供一非接触式探针点胶设备，以非接触式探针配合电压量测自动回馈方式，将一银基奈米浆料涂布在一散热基板上，而该银基奈米浆料以重量份计，包含65～70份银基金属粒子、5～10份有机银离子化合物、1-5份有机添加物、以及30～40份一溶剂；其中该银基金属粒子由作为主银粒子、表面由有机酸保护，且粒径小于100nm的奈米银粒子，以及作为副银粒子且粒径为500～1000nm的微米银粒子组成。
图2是本实用新型装有IGBT功率组件和直流母线电容组件的结构示意图；图3是本实用新型装有IGBT功率组件的结构示意图；图4是本实用新型的直流母线电容组件的结构示意图；图5是本实用新型的交流输出铜排的结构示意图；图6是本实用新型的分解结构示意图；图7是本实用新型的分解结构示意图。其中：1：箱体2：IGBT功率组件3：直流母线电容组件4：叠层母排5：一绝缘层6：液冷换热器7：钣金隔板8：交流输出铜排9：放电电阻10：箱体底座11：直流母线电容12：钣金固定板13：正叠层铜排14：负叠层铜排15：第二绝缘层16：IGBT驱动板17：IGBT元件18：连接口19：汇流爪20：铜排21：绝缘固定块22：缺口23：小孔24：大孔25：连接孔26：凹槽27：把手。具体实施方式以下参照附图及实施例对本实用新型进行详细的说明。如图1-4所示，本实用新型的IGBT功率模块，包括箱体1以及设置在箱体内的IGBT功率组件2和直流母线电容组件3，箱体包括顶部的散热板和底部的箱体底座、连接散热板和箱体底座的侧板和箱体底座上方设置的护板。箱体内还包括叠层母排4、一绝缘层5、液冷换热器6、钣金隔板7、交流输出铜排8和放电电阻9。所述的直流母线电容组件包括多个直流母线电容11和钣金固定板12。
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