吉林Mitsubishi三菱IGBT模块供应商 江苏芯钻时代电子科技供应

    igbt简介IGBT（InsulatedGateBipolarTransistor），绝缘栅双极型晶体管，是由BJT（双极型三极管）和MOS（绝缘栅型场效应管）组成的复合全控型电压驱动式功率半导体器件，兼有MOSFET的高输入阻抗和GTR的低导通压降两方面的优点。GTR饱和压降低，载流密度大，但驱动电流较大；MOSFET驱动功率很小，开关速度快，但导通压降大，载流密度小。IGBT综合了以上两种器件的优点，驱动功率小而饱和压降低。非常适合应用于直流电压为600V及以上的变流系统如交流电机、变频器、开关电源、照明电路、牵引传动等领域。IGBT模块IGBT模块是由IGBT（绝缘栅双极型晶体管芯片）与FWD（续流二极管芯片）通过特定的电路桥接封装而成的模块化半导体产品；封装后的IGBT模块直接应用于变频器、UPS不间断电源等设备上。IGBT模块特点IGBT模块具有节能、安装维修方便、散热稳定等特点；当前市场上销售的多为此类模块化产品，一般所说的IGBT也指IGBT模块；随着节能环保等理念的推进，此类产品在市场上将越来越多见。IGBT结构上图所示为一个N沟道增强型绝缘栅双极晶体管结构，N+区称为源区，附于其上的电极称为源极（即发射极E）。N基极称为漏区。器件的控制区为栅区，附于其上的电极称为栅极（即门极G）。

    消除了导通电阻中jfet的影响。同时缩小了原胞尺寸即步进(pitch)，提高原胞密度，每个芯片的沟道总宽度增加，减小了沟道电阻。另一方面，由于多晶硅栅面积增大，减少了分布电阻，有利于提高开关速度。igbt的饱和压降(vcesat)和关断损耗以及抗冲击能力是衡量igbt器件的几个重要指标。饱和压降是衡量igbt产品导通损耗的重要参数，降低igbt饱和压降可以有效降低igbt功率损耗，减小产品发热，提高功率转换效率。耐压特性也是是产品的重要参数之一。降低关断损耗可以限度的降低igbt在高频下的功率损耗。igbt产品抗冲击能力的主要体现就是产品抗短路能力，是体现产品可靠性的重要参数指标。随着技术的发展，对igbt的性能要求越来越高，如何更加灵活地调整饱和压降(vcesat)与关断损耗(eoff)的折中关系，在保证饱和压降不增大的前提下更好的优化开关损耗，同时提高器件的抗冲击能力以实用于高功率转换领域，成为本领域技术人员一直求的目标。技术实现要素：本发明所要解决的技术问题是提供一种igbt器件，能同时改善器件的饱和压降、关断损耗以及抗冲击的性能。为此，本发明还提供一种igbt器件的制造方法。为解决上述技术问题，本发明提供的igbt器件包括：漂移区。

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