或进行强制风冷来控制温升使之保持电流通过能力。整流器中快速熔断器接头处的连接状况直接影响着快速熔断器的温升和可靠运行，为此必须保持接触面的平整和清洁。如无镀层的母排的接触面要去除氧化层，安装时给予规定的压紧力，好使接触面产生弹性变形。并联的快速熔断器要求逐个检测接触面的压降。快速熔断器的温升与功耗快速熔断器的功耗W=ΔUIw；ΔU=f(Iw)式中：Iw---工作电流；ΔU---快速熔断器的压降。快速熔断器的功耗与其冷态电阻有很大的关系，选用冷态电阻较小的快速熔断器有利于降低温升，因为电流通过能力主要受温升限制。如前所述，快速熔断器接头处的连接状况也影响着快速熔断器的温升，要求快速熔断器接头处的温升不应影响其相邻器件的工作。实验证明，快速熔断器的温升低于80℃时可以长期运行，温升100℃时制造工艺稳定的产品仍能长期运行，温升120℃是电流通过能力的临界点，若温升达到140℃时，快速熔断器不能长期运行。目前，化工行业一般采用水冷母排和风冷方式来降低快速熔断器的温升。水冷母排尤其对低电压规格的快速熔断器如400～600V效果更佳。快速熔断器端子与水冷母排连接端温差一般在～℃。许多大功率快速熔断器是按水冷条件设计的，所以。
氯碱行业不常用该配置。2快速熔断器的选用也称电压电流法。线路变流变压器的线电压应低于快速熔断器的额定电压。经电力半导体器件与快速熔断器串联短路实验验证，以半导体额定电流乘以系数，做为所选用的快速熔断器的额定电流。因快速熔断器的额定电流是有效值，而半导体器件的额定电流是平均值，针对上述一类配置方案，对一代产品RS0、RS3系列（我国快速熔断器的发展史可分为4个阶段，一代是全国联合设计的RS0、RS3系列，参数为480A、750V以下，分断能力为50kA，是一种体积较大、价格低廉、电寿命短的初级产品，目前尚有相当装机量）而言，该系数可按整流管为、晶体管、快速晶体管为1来选配，如ZP1000配1400A快速熔断器。针对上述第二类配置方案，则可依据阀电流Iv以及变流装置的负载特性选择快速熔断器，再按整流器可能产生的大故障电流，来选择有足够分断能力的快速熔断器，如50kA或100kA，其中50kA为合格品，100kA为一级品。3快速熔断器的应用特性电流通过能力快速熔断器的额定电流是以有效值表示的，一般正常通过电流为标称额定电流的30%～70%。快速熔断器使用时或其一端被半导体器件加热而另一端被水冷母排冷却，或双面都被水冷母排冷却。
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