所述二极管结构包括覆盖所述衬底和所述沟槽的传导层，所述传导层电连接到所述衬底以及电连接到所述一传导区域和所述第二传导区域。在一些实施例中，所述传导层与所述衬底接触或者与所述衬底分离小于300nm。在另一方面，提供了一种二极管。该二极管包括：衬底，具有一沟槽；阴极和阳极，耦合到所述衬底；一传导区域，位于所述沟槽中并且与所述衬底分离一距离，所述一距离短于10nm；以及第二传导区域，位于所述沟槽中并且比所述一传导区域更深地延伸。在一些实施例中，所述衬底包括第二沟槽，所述二极管进一步包括：至少一个晶体管，具有在所述一沟槽和所述第二沟槽之间延伸的至少一个沟道区域，所述一传导区域限定所述至少一个晶体管的栅极。在一些实施例中，所述二极管包括：传导层，覆盖所述衬底以及所述一沟槽和所述第二沟槽；以及接触区域，形成在所述衬底中并且将所述沟道区域电连接到所述传导层。在一些实施例中，所述一传导区域和所述第二传导区域是半导体区域，所述沟道区域和所述一传导区域掺杂有相反的导电类型。在一些实施例中，所述二极管包括漏极区域，所述漏极区域在所述沟道区域下方以及在所述一沟槽和所述第二沟槽之间延伸在一些实施例中。
术语“前”、“后”、“顶部”、“底部”、“左”、“右”等)或相对位置(例如，术语“之上”、“之下”、“上方”、“下方”等)的术语或参考限定方向(例如，术语“水平”、“垂直”等)的术语时，指的是有关元件在附图中的定向，应理解，在实践中，所描述的器件可以不同地定向。除非另有说明，否则表述“约”、“大约”、“基本上”和“……数量级”表示在10％以内、推荐在5％以内。图1是图示二极管10的实施例的简化截面图。二极管10包括例如由诸如硅的半导体制成的衬底20。二极管包括例如电连接到衬底的下表面的阴极端子k以及阳极端子a。二极管10包括沟槽22。沟槽22在衬底20中从衬底的上表面延伸。沟槽22例如彼此平行。沟槽22例如规则地间隔开。作为变型，沟槽22呈同心环的形状。二极管包括下文描述的结构30a，结构30a各自位于沟槽22中。二极管例如包括在二极管任一侧上的两个结构30a。在结构30a之间，二极管可以进一步包括一个或多个结构30。在相关的沟槽22中，每个结构30包括电传导区域302。传导区域302位于沟槽22的上部分中。区域302与沟槽22的壁分离。区域302例如通过布置在区域302的任一侧上的电介质层304与壁分离。可以理解，层304可以是相同电介质层的一部分。
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