
所述断线检出器套在所述壳体外周且所述保险丝筒穿过所述断线检出器,所述断线检出器由两个半环形的塑料外壳对接形成为环形,其中一个塑料外壳中容纳有半环形的铁芯以及缠绕在所述铁芯外部的线圈,所述线圈由所述塑料外壳引入所述塑料外壳中并缠绕在所述铁芯外部后引出所述塑料外壳以用于传递信号。所述电线由出线端子引入和引出。所述熔断器还包括位于所述壳体顶端的进线嘴、位于所述壳体下部的出线嘴,所述进线嘴设置有进线口,所述出线嘴设置有出线口。所述壳体的上部设置有用于电连接所述进线口进入的电线的上部电极,所述壳体的下部设置有用于连接所述出线口引出的电线的下部电极。所述下部电极形成为环形且套在所述保险丝筒的外周。所述熔断器还包括位于所述壳体中的消弧筒,所述保险丝筒被容纳于所述消弧筒中。所述消弧筒为脲醛树脂材料。所述壳体的底部设置有密封盖。所述密封盖上设置有供所述保险丝筒通过的开口。本发明具有如下优点:与现有技术相比,本专利申请的技术效果是:1.防风、防污染。因采用内插式结构,不但遇风不脱落,而且还增加了导体接触面,解决了拉合闸操作时造成的弧光短路问题;顶盖密封,可以大幅度降低环境污染,以及沙尘和雨雪的侵蚀。
所选择的熔断器的额定电流不得小于电容器额定电流的。END半导体器件保护熔断器选用额定电压:快速熔断器的额定电压UN应稍大于快速熔断器熔断后两端出现的故障电路的外加交流电压。若半导体设备的负荷是有源逆变器、逆变型制动的电动机等逆变型负载时,应考虑半导体器件失控等引起设备直流侧短路的可能性,此时快速熔断器熔断时,熔片两端交流电压与直流电压叠加现象,快速熔断器的额定电压应按下式计算:UN≥Uac+Udo×1/√2式中:Uac:快速熔断器熔断后外加交流电压;Udo:半导体设备负载端逆变型直流电压。额定电流:熔断器的额定电流INF是以电路中实际流过熔断器的电流有效值IF为基础,并考虑环境温度、冷却条件、电流裕度等因素影响进行计算。INF≥K×IF式中:K值一般可取。对于自冷式熔断器K取较大值,尤其对熔断器两端连接导线特别短的电路,需取最大值;对水冷式熔断器K取较小值。快速熔断器选用额定电流过大势必增加熔断器的I2tF值,对半导体器件的保护是有害的。分断I2t:当半导体器件与快速熔断器串联工作时,半导体器件允许通过的I2tD值应大于快速熔断器的I2tF值,不然熔断器熔断时,器件也被烧损。二者关系应满足:I2tF≤。分断过电压:熔断器在减弧过程中。
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