福建优势Mitsubishi三菱IPM模块工厂直销 江苏芯钻时代电子科技供应

    采用本实用新型ipm模块短路检测电路和现有退饱和检测电路对ipm模块进行短路检测，结果如图3所示，图3中，纵轴vce为ipm模块集电极与发射极之间的电压，横轴为时间，该图中上面的虚线表示ipm模块发生短路故障后，其集电极与发射极之间电压随时间的变化趋势；中间实线表示ipm模块正常工作时，即没有发生短路时，其其集电极与发射极之间电压随时间的变化趋势；底部虚线表示现有退饱和检测电路设置的阈值电压vref随时间的变化趋势；在ipm模块发生短路时，本实用新型ipm模块短路检测电路测试出短路故障所需时间为t1，现有退饱和检测电路测试出短路故障所需时间为t2，从图3中可看出，t2≈2t1，表明本实用新型ipm模块短路检测电路所需检测时间较短，在ipm模块发生短路时能及时关断ipm模块，避免了ipm模块内部芯片发生损坏，提高了ipm模块的可靠性和使用寿命。

    20-电流检测区域；201-第二发射极单元；202-第三发射极单元；30-接地区域；100-公共栅极单元；200-公共集电极单元；40-检测电阻；2-一发射极单元金属；3-空穴收集区电极金属；4-氧化物；5-多晶硅；6-n+源区；7-p阱区；8-空穴收集区；9-n型耐压漂移层；11-p+区；12-公共集电极金属；13-接触多晶硅；50-半导体功率模块；51-igbt芯片；52-驱动集成块；521-模块引线端子；522-导线；60-dcb板。具体实施方式为使本发明实施例的目的、技术方案和优点更加清楚，下面将结合附图对本发明的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例是本发明一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本发明保护的范围。如图1所示，igbt器件是由bjt(bipolarjunctiontransistor，双极型三极管)和mos(metaloxidesemiconductor，绝缘栅型场效应管)组成的复合全控型电压驱动式功率半导体器件。在实际应用中，igbt器件兼有mosfet(metal-oxide-semiconductorfield-effecttransistor，金氧半场效晶体管)的高输入阻抗和gtr(gianttransistor，电力晶体管)的低导通压降两方面的优点。

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