天津加工Mitsubishi三菱IPM模块销售价格 江苏芯钻时代电子科技供应

    本发明实施例还提供了一种半导体功率模块，如图15所示，半导体功率模块50配置有上述igbt芯片51，还包括驱动集成块52和检测电阻40。具体地，如图16所示，igbt芯片51设置在dcb板60上，驱动集成块52的out端口通过模块引线端子521与igbt芯片51中公共栅极单元100连接，以便于驱动工作区域10和电流检测区域20工作；si端口通过模块引线端子521与检测电阻40连接，用于获取检测电阻40上的电压；以及，gnd端口通过模块引线端子521与电流检测区域的一发射极单元101引出的导线522连接，检测电阻40的另一端还分别与电流检测区域的第二发射极单元201和接地区域连接，从而通过si端口获取检测电阻40上的测量电压，并根据该测量电压检测工作区域的工作电流。本发明实施例提供的半导体功率模块，设置有igbt芯片，其中，igbt芯片上设置有：工作区域、电流检测区域和接地区域；其中，igbt芯片还包括一表面和第二表面，且，一表面和第二表面相对设置；一表面上设置有工作区域和电流检测区域的公共栅极单元，以及，工作区域的一发射极单元、电流检测区域的第二发射极单元和第三发射极单元，其中，第三发射极单元与一发射极单元连接。

    传统焊锡)的高功率模块的制备方法。本发明的另一目的在于，提供一种奈米银粒子与微米银粒子的特定比例范围，且因主要组成银粒子的尺寸为100nm以下的奈米银粒子，故所使用的热处理温度低于250℃，可避免电子组件在封装制程中受到高温而破坏的高功率模块的制备方法。本发明的再一目的在于，提供一种采用全新非接触式探针点胶技术将可避免破坏基板的高功率模块的制备方法。本发明的又一目的在于，提供一种添加具有特殊设计之有机银离子化合物作为银前驱物，可有效提高烧结后热界面材料层之致密性，提高导热性质与机械性质，并且有效降低材料成本之高功率模块之制备方法。为达以上目的，本发明所采用的技术方案是：一种高功率模块的制备方法，其至少包含以下步骤：步骤一：提供一非接触式探针点胶设备，以非接触式探针配合电压量测自动回馈方式，将一银基奈米浆料涂布在一散热基板上，而该银基奈米浆料以重量份计，包含65～70份银基金属粒子、5～10份有机银离子化合物、1-5份有机添加物、以及30～40份一溶剂；其中该银基金属粒子由作为主银粒子、表面由有机酸保护，且粒径小于100nm的奈米银粒子，以及作为副银粒子且粒径为500～1000nm的微米银粒子组成。

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