山西进口Mitsubishi三菱IPM模块现货 江苏芯钻时代电子科技供应

    本实用新型涉及igbt功率模块技术领域，具体为一种igbt功率模块的安装机构。背景技术：igbt，绝缘栅双极型晶体管，是由bjt(双极型三极管)和mos(绝缘栅型场效应管)组成的复合全控型电压驱动式功率半导体器件，兼有mosfet的高输入阻抗和gtr的低导通压降两方面的优点，gtr饱和压降低，载流密度大，但驱动电流较大；mosfet驱动功率很小，开关速度快，但导通压降大，载流密度小，igbt综合了以上两种器件的优点，驱动功率小而饱和压降低，非常适合应用于直流电压为600v及以上的变流系统如交流电机、变频器、开关电源、照明电路、牵引传动等领域。igbt功率模块使用前需要将其进行安装，安装igbt功率模块需要用到安装机构，但是，现有igbt功率模块的安装机构操作时繁琐，不方便使用者安装igbt功率模块，浪费了使用者大量的时间，降低了igbt功率模块安装的效率。技术实现要素：本实用新型的目的在于提供一种igbt功率模块的安装机构，具备方便安装的优点，解决了现有igbt功率模块的安装机构操作时繁琐，不方便使用者安装igbt功率模块的问题。为实现上述目的，本实用新型提供如下技术方案：一种igbt功率模块的安装机构，包括底座，所述底座内部的两侧均开设有容纳槽。

    并在检测电阻40上得到检测信号。因此，这种将检测电阻40通过引线直接与主工作区的源区金属相接，可以避免主工作区的工作电流接地电压对测试的影响。但是，这种方式得到的检测电流曲线与工作电流曲线并不对应，如图4所示，得到的检测电流与工作电流的比例关系不固定，在大电流时，检测电流与工作电流的偏差较大，此时，电流传感器1的灵敏性较低，从而导致检测电流的精度和敏感性比较低。针对上述问题，本发明实施例提供了igbt芯片及半导体功率模块，避免了栅电极因对地电位变化造成的偏差，提高了检测电流的精度。为便于对本实施例进行理解，下面首先对本发明实施例提供的一种igbt芯片进行详细介绍。实施例一：本发明实施例提供了一种igbt芯片，图5为本发明实施例提供的一种igbt芯片的结构示意图，如图5所示，在igbt芯片上设置有：工作区域10、电流检测区域20和接地区域30；其中，在igbt芯片上还包括一表面和第二表面，且，一表面和第二表面相对设置；一表面上设置有工作区域10和电流检测区域20的公共栅极单元100，以及，工作区域10的一发射极单元101、电流检测区域20的第二发射极单元201和第三发射极单元202，其中，第三发射极单元202与一发射极单元101连接。

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