
传统焊锡)的高功率模块的制备方法。本发明的另一目的在于,提供一种奈米银粒子与微米银粒子的特定比例范围,且因主要组成银粒子的尺寸为100nm以下的奈米银粒子,故所使用的热处理温度低于250℃,可避免电子组件在封装制程中受到高温而破坏的高功率模块的制备方法。本发明的再一目的在于,提供一种采用全新非接触式探针点胶技术将可避免破坏基板的高功率模块的制备方法。本发明的又一目的在于,提供一种添加具有特殊设计之有机银离子化合物作为银前驱物,可有效提高烧结后热界面材料层之致密性,提高导热性质与机械性质,并且有效降低材料成本之高功率模块之制备方法。为达以上目的,本发明所采用的技术方案是:一种高功率模块的制备方法,其至少包含以下步骤:步骤一:提供一非接触式探针点胶设备,以非接触式探针配合电压量测自动回馈方式,将一银基奈米浆料涂布在一散热基板上,而该银基奈米浆料以重量份计,包含65~70份银基金属粒子、5~10份有机银离子化合物、1-5份有机添加物、以及30~40份一溶剂;其中该银基金属粒子由作为主银粒子、表面由有机酸保护,且粒径小于100nm的奈米银粒子,以及作为副银粒子且粒径为500~1000nm的微米银粒子组成。
其中vccu、vccv、vccw分别为u、v、w相上桥臂控制电源输入的+端,GNDU、GNDV、GNDW分别为对应的一端;Vinu、vinV、vinW分别为上桥臂u、v、w相控制信号输入端,vcc、GND为下桥臂公用控制电源输入;vinX、vinY、vinZ分别为下桥臂x、Y、z相控制信号输入端;vinDB为制动单元控制信号输入端;ALM为保护电路动作时的报警信号输出端。图1IPM结构框图R系列IGBT—IPM产品包括:中容量600v系列50A~150A、1200v系列25A~75A;大容量600v系列200A~300A、1200v系列100A一150A。共计20多个品种。3功能特点IGBT驱动功能全部IGBT的驱动功能为内置。采用软开关控制,分别使用单独门极电阻,根据驱动元件的特性,可地控制各自的开关山/dl。单电源驱动无需反偏电源,共需4组驱动电源,上桥臂侧3组,下桥臂侧1组公用。由于设计为低阻抗接地方式,可防止因噪声而产生的误导通。通过检测IGBT集电极电流进行过电流保护,如集电极电流超过容许值6—8ps,则软关断IGBT,由于有6—8ps的保护动作延时,瞬间过电流及噪声不会导致误动作。同时还具有防止误动作闭锁功能,在保护动作闭锁期间,即使有控制信号输入,IGBT也不工作。过电流保护动作时,短路保护将联动,能抑制因负载短路及桥臂短路的峰值电流。
江苏芯钻时代电子科技有限公司,专业从事电气线路保护设备和电工电力元器件模块的服务与销售,具有丰富的熔断器、电容器、IGBT模块、二极管、可控硅、IC类销售经验的专业公司。公司以代理分销艾赛斯、英飞凌系列、赛米控系列,富士系列等模块为主,同时经营销售美国巴斯曼熔断器、 西门子熔断器、美尔森熔断器、力特熔断器等电气保护。
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