福建哪里有Mitsubishi三菱IPM模块现货 江苏芯钻时代电子科技供应

    20-电流检测区域；201-第二发射极单元；202-第三发射极单元；30-接地区域；100-公共栅极单元；200-公共集电极单元；40-检测电阻；2-一发射极单元金属；3-空穴收集区电极金属；4-氧化物；5-多晶硅；6-n+源区；7-p阱区；8-空穴收集区；9-n型耐压漂移层；11-p+区；12-公共集电极金属；13-接触多晶硅；50-半导体功率模块；51-igbt芯片；52-驱动集成块；521-模块引线端子；522-导线；60-dcb板。具体实施方式为使本发明实施例的目的、技术方案和优点更加清楚，下面将结合附图对本发明的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例是本发明一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本发明保护的范围。如图1所示，igbt器件是由bjt(bipolarjunctiontransistor，双极型三极管)和mos(metaloxidesemiconductor，绝缘栅型场效应管)组成的复合全控型电压驱动式功率半导体器件。在实际应用中，igbt器件兼有mosfet(metal-oxide-semiconductorfield-effecttransistor，金氧半场效晶体管)的高输入阻抗和gtr(gianttransistor，电力晶体管)的低导通压降两方面的优点。

    具体实施方式下面将结合本实用新型实施例中的附图，对本实用新型实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例是本实用新型一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本实用新型中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本实用新型保护的范围。请参阅图1-3，一种igbt功率模块的安装机构，包括底座1，底座1内部的两侧均开设有容纳槽2，容纳槽2的内壁固定连接有一轴承3，一轴承3的内部固定连接有蜗杆4，蜗杆4的外端贯穿至底座1的外部固定连接有转盘5，转盘5外侧的底部固定连接有把手18，把手18与转盘5配合使用，通过设置把手18，能够便于使用者通过把手18转动转盘5，提高了把手18的实用性，容纳槽2内壁的背面固定连接有第二轴承6，第二轴承6的内部固定连接有转轴7，转轴7的表面固定连接有蜗轮8，蜗轮8与蜗杆4啮合，转轴7的前端固定连接有圆盘9，圆盘9的正面固定连接有传动杆10，容纳槽2的内部横向固定连接有滑杆11，滑杆11的表面滑动连接有滑环12，滑杆11的横截面为圆形，滑环12的横截面为圆形，滑杆11与滑环12配合使用，通过设置滑杆11和滑环12，能够增加滑环12滑动的稳定性。

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