
所以包装时将g极和e极之间要有导电泡沫塑料,将它短接。装配时切不可用手指直接接触,直到g极管脚进行性连接。b、主电路用螺丝拧紧,控制极g要用插件,尽可能不用焊接方式。c、装卸时应采用接地工作台,接地地面,接地腕带等防静电措施。d、仪器测量时,将1000电阻与g极串联。e、要在无电源时进行安装。f,焊接g极时,电烙铁要停电并接地,选用定温电烙铁合适。当手工焊接时,温度2601c15'c.时间(10士1)秒,松香焊剂。波峰焊接时,pcb板要预热80'c-]05'c,在245℃时浸入焊接3-4IGBT功率模块发展趋势编辑igbt发展趋向是高耐压、大电流、高速度、低压降、高可靠、低成本为目标的,特别是发展高压变频器的应用,简化其主电路,减少使用器件,提高可靠性,降低成本,简化调试工作等,都与igbt有密切的内在联系,所以世界各大器件公司都在奋力研究、开发,予估近2-3年内,会有突破性的进展。已有适用于高压变频器的有电压型hv-igbt,igct,电流型sgct等。
由于铅会破坏人类神经系统以及妨碍胎儿发育,故目前世界各国正努力寻找无铅接合材料。然而,无铅焊锡主要成份为锡银铜合金,该合金在高温环境下易形成介金属化合物(cu6sn5与cu3sn),一旦此介金属化合物形成后,接点在高温下(>150℃)的机械强度则降为原来的三分之一,且在长时间的热循环下容易形成孔洞,使得接合强度更为脆弱。再者,当孔洞形成后,增加高功率模块内部散热鳍片与功率集成电路(integratedcircuit,ic)组件的接口热阻,导致散热不易,终使得高功率模块热失效。故,一般无法符合使用者于实际使用时所需。技术实现要素:本发明的主要目的在于,克服已知技术所遭遇的上述问题,并提供一种使用的热接口材料在完成热处理后含少量有机物(<1%),且99%以上为纯银,故长时间使用下将无有机挥发物(volatileorganiccompounds,voc)的产生,且在高温下(<800℃)相当稳定,不会产生任何介金属化合物,从而不会有因制程(环境)温度而脆化的问题的高功率模块的制备方法。本发明的次要目的在于,提供一种使用的热接口材料为纯银,以高纯度银做异质界面接合用材料,其导热系数为锡银铜合金(无铅焊锡)的两倍以上,将可取代锡银铜合金及铅锡与银铅锡合金。
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