其中vccu、vccv、vccw分别为u、v、w相上桥臂控制电源输入的+端，GNDU、GNDV、GNDW分别为对应的一端;Vinu、vinV、vinW分别为上桥臂u、v、w相控制信号输入端，vcc、GND为下桥臂公用控制电源输入;vinX、vinY、vinZ分别为下桥臂x、Y、z相控制信号输入端;vinDB为制动单元控制信号输入端;ALM为保护电路动作时的报警信号输出端。图1IPM结构框图R系列IGBT—IPM产品包括：中容量600v系列50A～150A、1200v系列25A～75A;大容量600v系列200A～300A、1200v系列100A一150A。共计20多个品种。3功能特点IGBT驱动功能全部IGBT的驱动功能为内置。采用软开关控制，分别使用单独门极电阻，根据驱动元件的特性，可地控制各自的开关山/dl。单电源驱动无需反偏电源，共需4组驱动电源，上桥臂侧3组，下桥臂侧1组公用。由于设计为低阻抗接地方式，可防止因噪声而产生的误导通。通过检测IGBT集电极电流进行过电流保护，如集电极电流超过容许值6—8ps，则软关断IGBT，由于有6—8ps的保护动作延时，瞬间过电流及噪声不会导致误动作。同时还具有防止误动作闭锁功能，在保护动作闭锁期间，即使有控制信号输入，IGBT也不工作。过电流保护动作时，短路保护将联动，能抑制因负载短路及桥臂短路的峰值电流。
以及测试电压vs的影响而产生信号的失真，即避免了公共栅极单元100因对地电位变化造成的偏差，从而提高了检测电流的精度。本发明实施例提供的igbt芯片，在igbt芯片上设置有：工作区域、电流检测区域和接地区域；igbt芯片还包括一表面和第二表面，且，一表面和第二表面相对设置；一表面上设置有工作区域和电流检测区域的公共栅极单元，以及，工作区域的一发射极单元、电流检测区域的第二发射极单元和第三发射极单元，其中，第三发射极单元与一发射极单元连接，公共栅极单元与一发射极单元和第二发射极单元之间通过刻蚀方式进行隔开；第二表面上设有工作区域和电流检测区域的公共集电极单元；接地区域设置于一发射极单元内的任意位置处；电流检测区域和接地区域分别用于与检测电阻连接，以使检测电阻上产生电压，并根据电压检测工作区域的工作电流。本申请避免了栅电极因对地电位变化造成的偏差，提高了检测电流的精度。进一步的，电流检测区域20包括取样igbt模块，其中，取样igbt模块中双极型三极管的集电极和绝缘栅型场效应管的漏电极断开，以得到第二发射极单元201和第三发射极单元202。具体地，如图6所示。
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