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    5）由硒堆及压敏电阻等非线性元件组成吸收回路上述阻容吸收回路的时间常数RC是固定的，有时对时间短、峰值高、能量大的过电压来不及放电，抑制过电压的效果较差。因此，一般在变流装置的进出线端还并有硒堆或压敏电阻等非线性元件。硒堆的特点是其动作电压和温度有关，温度越低耐压越高；另外是硒堆具有自恢复特性，能多次使用，当过电压动作后硒基片上的灼伤孔被溶化的硒重新覆盖，又重新恢复其工作特性。压敏电阻是以氧化锌为基体的金属氧化物非线性电阻，其结构为两个电极，电极之间填充的粒径为10~50μm的不规则的ZNO微结晶，结晶粒间是厚约1μm的氧化铋粒界层。这个粒界层在正常电压下呈高阻状态，只有很小的漏电流，其值小于100μA。当加上电压时，引起了电子雪崩，粒界层迅速变成低阻抗，电流迅速增加，泄漏了能量，抑制了过电压，从而使晶闸管得到保护。浪涌过后，粒界层又恢复为高阻态。压敏电阻的特性主要由下面几个参数来表示。标称电压：指压敏电阻流过1mA直流电流时，其两端的电压值。通流容量：是用前沿8微秒、波宽20微秒的波形冲击电流，每隔5分钟冲击1次，共冲击10次，标称电压变化在-10[[[%]]]以内的**大冲击电流值来表示。

    TA＝125°C图7其他公司的IGBT的低端IGBT开关电压和dV/dt感生电流的18A峰值图8IRGP30B120KD-EIGBT的低端IGBT开关电压和dV/dt感生电流的dV/dt感生电流的减小清楚说明单正向栅驱动设计的优胜之处。但在这个测试中，Co-Pack二极管电流的影响并没有完全计算在内。为了只显示出IGBT对整体电流的影响，我们只利用相同的分立式反并联二极管再重复测试，如图9中的Ice(cntrl)。图9利用相同的分立式Co-Pack二极管产生的dV/dt感生电流图10显示出在没有IGBT情况下，负偏置栅驱动器IGBT的I电流。图11为IRGP30B120KD-E单正向栅驱动器的I电流。两种情况下的电流都很低，分别为1A和。图10其他公司的IGBT的Co-Pack二极管内的低端IGBT的VCE和dV/dt感生电流1A峰值图11IRG30B120KD-E的Co-Pack二极管内的低端IGBT的VCE和dV/dt感生电流如果从整体IGBT/二极管电流中减去图10和图11的二极管电流，结果是I（负偏置栅驱动IGBT）=18-1=17AI（IRGP30B120KD-E）==可见总的减小为17:=21:1在相同的测试条件下，当栅电压是在0V或单正向栅驱动情况下，IRGP30B120KD的电路性能显示dV/dt感生开通电流减小比例为21:1。如果IGBT采用这种方式驱动，电流很小，对功耗的影响几乎可以忽略。

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