进入P2区的空穴与由N2区通过J3结注入P2区的电子复合，雪崩击穿，进入N1区的电子与进入P2区的空穴各自不能全部复合掉，这样，在N1区就有电子积累，在P2区就有空穴积累，结果使P2区的电位升高，N1区的电位下降，J2结变成正偏，只要电流稍增加，电压便迅速下降，出现所谓负阻特性。这时J1、J2、J3三个结均处于正偏，可控硅便进入正向导电状态---通态，此时，它的特性与普通的PN结正向特性相似。双向可控硅检测方法编辑DIP4管脚型ZC三端双向可控硅光电耦合器利用万用表RXl档判定双向可控硅电极的方法，同时还检查触发能力。判定T2极G极与T1极靠近，距T2极较远。因此，G—T1之间的正、反向电阻都很小。在肦Xl档测任意两脚之间的电阻时，只有在G-T1之间呈现低阻，正、反向电阻几十欧，而T2-G、T2-T1之间的正、反向电阻均为无穷大。这表明，如果测出某脚和其他两脚都不通，就肯定是T2极。另外，采用TO—220封装的双向可控硅，T2极通常与小散热板连通，据此亦可确定T2极。区分G极和T1极(1)找出T2极之后，首先假定剩下两脚中某一脚为Tl极，另一脚为G极。(2)把黑表笔接T1极，红表笔接T2极，电阻为无穷大。接着用红表笔尖把T2与G短路，给G极加上负触发信号，电阻值应为十欧左右。
中文名单向可控硅外文名SCR:SiliconControlledRectifier别名可控硅整流器性质电子元件目录1结构控制2对比3引脚区分4性能检测5单向和双向可控硅的区分单向可控硅结构控制编辑单向可控硅为具有三个PN结的四层结构，由外层的P层、N层引出两个电极――阳极A和阴极K，由中间的P层引出控制极G。电路符号好像为一只二极管，但好多一个引出电极――控制极或触发极G。SCR或MCR为英文缩写名称。从控制原理上可等效为一只PNP三极管和一只NPN三极管的连接电路，两管的基极电流和集电极电流互为通路，具有强烈的正反反馈作用。一旦从G、K回路输入NPN管子的基极电流，由于正反馈作用，两管将迅即进入饱合导通状态。可控硅导通之后，它的导通状态完全依靠管子本身的正反馈作用来维持，即使控制电流（电压）消失，可控硅仍处于导通状态。控制信号UGK的作用是触发可控硅使其导通，导通之后，控制信号便失去控制作用。单向可控硅的导通需要两个条件：1）A、K之间加正向电压；2）G、K之间输入一个正向触发电流信号，无论是直流或脉冲信号。若欲使可控硅关断，也有两个关断条件：1）使正向导通电流值小于其工作维持电流值；2）使A、K之间电压反向。可见，可控硅器件若用于直流电路。
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