该ic芯片与该散热基板的热接口材料层90％以上成分为银，孔隙率小于25％，且厚度为1～15μm。藉此，本发明具有下列功效：1.本发明使用的热接口材料将不会产生任何介金属化合物，故不会因制程(环境)温度而脆化，且在高温下(＜800℃)相当稳定。2.本发明使用的热接口材料在完成热处理后含少量有机物(＜1％)，且99％以上为纯银，故长时间使用下将无有机挥发物(volatileorganiccompounds,voc)产生。3.本发明所使用的热接口材料为纯银，以高纯度银做异质界面接合用材料，其导热系数为锡银铜合金(无铅焊锡)的两倍以上，如表1所示。表1本发明与现有锡银铜合金焊料的比较锡银铜焊料本发明导电率(mω-cm)～(w/m-k)60>2004.本发明不含铅、镉、卤素等毒性物质。5.目前高功率模块的工作温度已上升至150℃，次世代高功率模块的工作温度将上升至200℃，则本发明所使用的热接口材料为纯银，将可取代无铅焊锡的锡银铜合金与传统焊锡的铅锡与银铅锡合金。6.本发明奈米银粒子与微米银粒子的比例为9:1～1:1，且因主要组成银粒子的尺寸为100nm以下的奈米银粒子，故所使用的热处理温度低于250℃，可避免电子组件在封装制程中受到高温而破坏。7.本发明采用全新非接触式探针点胶技术。
本发明实施例还提供了一种半导体功率模块，如图15所示，半导体功率模块50配置有上述igbt芯片51，还包括驱动集成块52和检测电阻40。具体地，如图16所示，igbt芯片51设置在dcb板60上，驱动集成块52的out端口通过模块引线端子521与igbt芯片51中公共栅极单元100连接，以便于驱动工作区域10和电流检测区域20工作；si端口通过模块引线端子521与检测电阻40连接，用于获取检测电阻40上的电压；以及，gnd端口通过模块引线端子521与电流检测区域的一发射极单元101引出的导线522连接，检测电阻40的另一端还分别与电流检测区域的第二发射极单元201和接地区域连接，从而通过si端口获取检测电阻40上的测量电压，并根据该测量电压检测工作区域的工作电流。本发明实施例提供的半导体功率模块，设置有igbt芯片，其中，igbt芯片上设置有：工作区域、电流检测区域和接地区域；其中，igbt芯片还包括一表面和第二表面，且，一表面和第二表面相对设置；一表面上设置有工作区域和电流检测区域的公共栅极单元，以及，工作区域的一发射极单元、电流检测区域的第二发射极单元和第三发射极单元，其中，第三发射极单元与一发射极单元连接。
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