广东哪里有Mitsubishi三菱IPM模块供应商 江苏芯钻时代电子科技供应

    该ic芯片与该散热基板的热接口材料层90％以上成分为银，孔隙率小于25％，且厚度为1～15μm。藉此，本发明具有下列功效：1.本发明使用的热接口材料将不会产生任何介金属化合物，故不会因制程(环境)温度而脆化，且在高温下(＜800℃)相当稳定。2.本发明使用的热接口材料在完成热处理后含少量有机物(＜1％)，且99％以上为纯银，故长时间使用下将无有机挥发物(volatileorganiccompounds,voc)产生。3.本发明所使用的热接口材料为纯银，以高纯度银做异质界面接合用材料，其导热系数为锡银铜合金(无铅焊锡)的两倍以上，如表1所示。表1本发明与现有锡银铜合金焊料的比较锡银铜焊料本发明导电率(mω-cm)～(w/m-k)60>2004.本发明不含铅、镉、卤素等毒性物质。5.目前高功率模块的工作温度已上升至150℃，次世代高功率模块的工作温度将上升至200℃，则本发明所使用的热接口材料为纯银，将可取代无铅焊锡的锡银铜合金与传统焊锡的铅锡与银铅锡合金。6.本发明奈米银粒子与微米银粒子的比例为9:1～1:1，且因主要组成银粒子的尺寸为100nm以下的奈米银粒子，故所使用的热处理温度低于250℃，可避免电子组件在封装制程中受到高温而破坏。7.本发明采用全新非接触式探针点胶技术。

    使每个汇流爪均与IGBT功率组件中的２个IGBT元件相连接。IGBT功率组件上的电流可通过汇流爪绕过其上的大孔和小孔，汇流至交流输出铜排的输出端。同时绝缘固定块设置在箱体底座上。所述的汇流爪的底边上形成有缺口22，缺口两侧的汇流爪上形成有小孔23，缺口上方的汇流爪上形成有与IGBT功率组件连接的大孔24，铜排上形成有多个连接孔25和凹槽26，连接孔与汇流爪上的小孔相对应连接，凹槽设置在连接孔中间并与汇流爪上的大孔相对应。放电电阻设置在钣金隔板的外表面上，增加整体IGBT功率模块的安全性。所述的箱体底座的侧壁上形成有把手27，便于拆卸，并且这种把手设计使得整个箱体起到一个类似风道的作用，具有良好的散热、外观和装配性。本实用新型的组装过程：如图4所示，先将多个直流母线电容一侧固定在钣金固定板上组成直流母线电容组件，再将多个直流母线电容另一侧与叠层母排固定，然后将两组直流母线电容组件通过叠层母排安装在一绝缘层两侧的位置。如图3所示，先将液冷换热器固定于钣金隔板上两个连接口之间，再将IGBT功率组件分别置于液冷换热器的两面，然后将一绝缘层置于液冷换热器上方的钣金隔板上，并且将放电电阻固定在钣金隔板上。如图2所示。

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