该ic芯片与该散热基板的热接口材料层90％以上成分为银，孔隙率小于25％，且厚度为1～15μm。藉此，本发明具有下列功效：1.本发明使用的热接口材料将不会产生任何介金属化合物，故不会因制程(环境)温度而脆化，且在高温下(＜800℃)相当稳定。2.本发明使用的热接口材料在完成热处理后含少量有机物(＜1％)，且99％以上为纯银，故长时间使用下将无有机挥发物(volatileorganiccompounds,voc)产生。3.本发明所使用的热接口材料为纯银，以高纯度银做异质界面接合用材料，其导热系数为锡银铜合金(无铅焊锡)的两倍以上，如表1所示。表1本发明与现有锡银铜合金焊料的比较锡银铜焊料本发明导电率(mω-cm)～(w/m-k)60>2004.本发明不含铅、镉、卤素等毒性物质。5.目前高功率模块的工作温度已上升至150℃，次世代高功率模块的工作温度将上升至200℃，则本发明所使用的热接口材料为纯银，将可取代无铅焊锡的锡银铜合金与传统焊锡的铅锡与银铅锡合金。6.本发明奈米银粒子与微米银粒子的比例为9:1～1:1，且因主要组成银粒子的尺寸为100nm以下的奈米银粒子，故所使用的热处理温度低于250℃，可避免电子组件在封装制程中受到高温而破坏。7.本发明采用全新非接触式探针点胶技术。
该银基金属粒子是以化学合成法合成两种以上粒径的银粒子并混合，由作为主银粒子、表面由有机酸(如：庚酸或丙酸)保护，且粒径小于100nm的奈米银粒子，以及作为副银粒子且粒径为500～1000nm的微米银粒子组成，而该奈米银粒子与该微米银粒子的重量比为9:1～1:1；5～10份有机银离子化合物作为银前驱物，主要含有长碳链脂肪酸的官能基与银离子，并可为2-乙基己酸银(silver2-ethylhexanoate)；1-5份的有机添加物，可为乙基纤维素或甘油；30～40份一溶剂，可为松油醇(α-terpineol)；以及1-3份的第二溶剂，主要为于0～25℃仍为液态的三级醇类与各级酮醇类的有机溶剂，并可为醇(1-hydroxybutanone或acetol)、二醇(4-hydroxy-4-methyl-2-pentanone或diacetonealcohol)、2-甲基-2-丁醇(2-methyl-2-butanol)、或2-丙醇(2-propanol)。上述非接触式探针点胶设备1如图2所示，其包含一容器11，可容纳该银基奈米浆料；一制动装置12，设于该容器11的一侧，内含步进马达，用以作为推压的动力源；一推进活塞13，设于该容器11上并与该制动装置12电性连接，该推进活塞13的一端为活塞头131，另一端为连杆132，受该制动装置12驱动而产生上、下运动；一探针14，设于该容器11底端；以及一组传感器15。
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