其中vccu、vccv、vccw分别为u、v、w相上桥臂控制电源输入的+端，GNDU、GNDV、GNDW分别为对应的一端;Vinu、vinV、vinW分别为上桥臂u、v、w相控制信号输入端，vcc、GND为下桥臂公用控制电源输入;vinX、vinY、vinZ分别为下桥臂x、Y、z相控制信号输入端;vinDB为制动单元控制信号输入端;ALM为保护电路动作时的报警信号输出端。图1IPM结构框图R系列IGBT—IPM产品包括：中容量600v系列50A～150A、1200v系列25A～75A;大容量600v系列200A～300A、1200v系列100A一150A。共计20多个品种。3功能特点IGBT驱动功能全部IGBT的驱动功能为内置。采用软开关控制，分别使用单独门极电阻，根据驱动元件的特性，可地控制各自的开关山/dl。单电源驱动无需反偏电源，共需4组驱动电源，上桥臂侧3组，下桥臂侧1组公用。由于设计为低阻抗接地方式，可防止因噪声而产生的误导通。通过检测IGBT集电极电流进行过电流保护，如集电极电流超过容许值6—8ps，则软关断IGBT，由于有6—8ps的保护动作延时，瞬间过电流及噪声不会导致误动作。同时还具有防止误动作闭锁功能，在保护动作闭锁期间，即使有控制信号输入，IGBT也不工作。过电流保护动作时，短路保护将联动，能抑制因负载短路及桥臂短路的峰值电流。
该ic芯片与该散热基板的热接口材料层90％以上成分为银，孔隙率小于25％，且厚度为1～15μm。藉此，本发明具有下列功效：1.本发明使用的热接口材料将不会产生任何介金属化合物，故不会因制程(环境)温度而脆化，且在高温下(＜800℃)相当稳定。2.本发明使用的热接口材料在完成热处理后含少量有机物(＜1％)，且99％以上为纯银，故长时间使用下将无有机挥发物(volatileorganiccompounds,voc)产生。3.本发明所使用的热接口材料为纯银，以高纯度银做异质界面接合用材料，其导热系数为锡银铜合金(无铅焊锡)的两倍以上，如表1所示。表1本发明与现有锡银铜合金焊料的比较锡银铜焊料本发明导电率(mω-cm)～(w/m-k)60>2004.本发明不含铅、镉、卤素等毒性物质。5.目前高功率模块的工作温度已上升至150℃，次世代高功率模块的工作温度将上升至200℃，则本发明所使用的热接口材料为纯银，将可取代无铅焊锡的锡银铜合金与传统焊锡的铅锡与银铅锡合金。6.本发明奈米银粒子与微米银粒子的比例为9:1～1:1，且因主要组成银粒子的尺寸为100nm以下的奈米银粒子，故所使用的热处理温度低于250℃，可避免电子组件在封装制程中受到高温而破坏。7.本发明采用全新非接触式探针点胶技术。
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