
前者的缺陷是将增加等效输入电容Cin,从而影响开关速度,后者的缺陷是将减小输入阻抗,增大驱动电流,使用时应根据需要取舍。②尽管IGBT所需驱动功率很小,但由于MOSFET存在输入电容Cin,开关过程中需要对电容充放电,因此驱动电路的输出电流应足够大,这一点设计者往往忽略。假定开通驱动时,在上升时间tr内线性地对MOSFET输入电容Cin充电,则驱动电流为Igt=CinUgs/tr,其中可取tr=2。2RCin,R为输入回路电阻。③为可靠关闭IGBT,防止擎住现象,要给栅极加一负偏压,因此采用双电源供电。IGBT集成式驱动电路IGBT的分立式驱动电路中分立元件多,结构复杂,保护功能比较完善的分立电路就更加复杂,可靠性和性能都比较差,因此实际应用中大多数采用集成式驱动电路。日本富士公司的EXB系列集成电路、法国汤姆森公司的UA4002集成电路等应用都很广。IPM驱动电路设计IPM对驱动电路输出电压的要求很严格,具体为:①驱动电压范围为15V±10%?熏电压低于13.5V将发生欠压保护,电压高于16.5V将可能损坏内部部件。②驱动电压相互隔离,以避免地线噪声干扰。③驱动电源绝缘电压至少是IPM极间反向耐压值的两倍(2Vces)。④驱动电流可以参阅器件给出的20kHz驱动电流要求。
将功率模块支架3、功率模块4一起以散热体6上的定位柱装配到导热垫5上;再将pcb板2以功率模块支架3上的定位柱装配到功率模块支架3上,功率模块支架3的定位柱和散热体6的定位柱为同轴,此时pcb板2和功率模块4之间就形成了定位关系;后装配螺钉,将功率模块支架3、功率模块4、导热垫5一起固定在散热体6上,在将功率模块4的引脚焊接在pcb板2上,至此整个系统装配完成。与现有技术相比,本实施例的一种功率模块支架及其功率模块机构,将多个该功率模块集成到一起,进行统一安装和定位,实现模块装配的集成化,节省生产成本、提高了生产效率。上述以实施例来进一步说明本实用新型的技术内容,以便于读者更容易理解,但不本实用新型的实施方式于此,任何依本实用新型所做的技术延伸或再创造,均受本实用新型的保护。本实用新型的保护范围以权利要求书为准。
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