步骤二、在所述半导体衬底中形成多个沟槽。步骤三、在各所述沟槽的底部表面和侧面形一介质层，之后再在各所述沟槽中填充一多晶硅层，将所述一多晶硅层回刻到和所述半导体衬底表面相平。步骤四、采用光刻工艺将栅极结构的形成区域打开，将所述栅极结构的形成区域的所述沟槽顶部的所述一多晶硅层和所述一介质层去除。步骤五、在所述栅极结构的形成区域的所述沟槽的顶部侧面形成栅介质层以及所述一多晶硅层的顶部表面形成多晶硅间介质层。步骤六、在所述栅极结构的形成区域的所述沟槽的顶部填充第二多晶硅层，由所述第二多晶硅层组成多晶硅栅；所述多晶硅栅底部的所述一多晶硅层为一屏蔽多晶硅并组成一屏蔽电极结构，所述一屏蔽多晶硅侧面的所述一介质层为一屏蔽介质层。在所述栅极结构两侧的所述沟槽中的所述一多晶硅层为第二屏蔽多晶硅并组成第二屏蔽电极结构，所述第二屏蔽多晶硅侧面的所述一介质层为第二屏蔽介质层。一个所述igbt器件的单元结构中包括一个所述栅极结构以及形成于所述栅极结构两侧的所述第二屏蔽电极结构，在所述栅极结构的每一侧包括至少一个所述第二屏蔽电极结构。步骤七、在所述漂移区表面依次形成电荷存储层和第二导电类型掺杂的阱区。
步骤十一、在所述集电区的底部表面形成由背面金属层组成的金属集电极。通过形成于所述栅极结构两侧的具有沟槽式结构的所述第二屏蔽电极结构降低igbt器件的沟槽的步进，从而降低igbt器件的输入电容、输出电容和逆导电容，提高器件的开关速度；通过将所述一屏蔽多晶硅和所述第二屏蔽多晶硅和所述金属源极短接提高器件的短路电流能力；通过所述电荷存储层减少器件的饱和压降。进一步的改进是，所述半导体衬底为硅衬底。在所述硅衬底表面形成有硅外延层，所述漂移区直接由一导电类型轻掺杂的所述硅外延层组成，所述阱区形成于所述漂移区表面的所述硅外延层中。进一步的改进是，令各所述第二屏蔽多晶硅顶部对应的接触孔为屏蔽接触孔。在各所述单元结构中，所述源极接触孔和邻近的一个所述屏蔽接触孔合并成一个接触孔，邻近的所述屏蔽接触孔外侧的所述屏蔽接触孔呈结构。或者，在各所述单元结构中，所述源极接触孔和各所述屏蔽接触孔连接成一个整体结构。进一步的改进是，一个所述单元结构中包括5个所述沟槽，在所述栅极结构的每一侧包括二个所述第二屏蔽电极结构。进一步的改进是，所述沟槽的步进为1微米～3微米。进一步的改进是，步骤十中。
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