赛米控IGBT模块命名规律赛米控型号数字字母含义作者：微叶科技时间：2015-07-1411:04如型号SKM100GB123DL为了区分和更好的对比我们把该型号分为八个单元—***单元“SK”，第二单元“M”，第三单元“D”，第四单元“G”，第五单元“B”，第六单元“12”，第七单元“3”，第八单元“D”和“L”。***单元：SK表示SEMIKRON元件。第二单元：M表示:MOS技术。D表示七单元模块（三相整流桥加IGBT斩波器）第三单元：“100”表示集电路电流等级（Tcase=25℃时的Ic/A）。第四单元：“G”表示IGBT开关。第五单元：“A”表示单只开关。“AL”表示斩波器模块(igbt加集电极端续流二极管)。“AR”表示斩波器模块(igbt加发射极端续流二极管)。“AH”表示非对称H桥。“AY”表示单只IGBT加发射极端串联二极管（反向阻断）。“AX”表示单只IGBT加集电极端串联二极管（反向阻断）。“B”表示两单元模块（半桥）。“BD”表示两单元模块（半桥）加串联二极管（反向阻断）。“D”表示六单元（三相桥）。“DL”表示七单元（三相桥加AL斩波器）。“H”表示单相全桥。“M”表示两只IGBT在集电极端相连。第六单元：“12”**集电极发射极电压等级（VCE/V/100）第七单元：IGBT系列号“0”表示***代IGBT产品。
1.3反向特性1）二极管承受反向电压时，加强了PN结的内电场，二极管呈现很大电阻，此时*有很小的反向电流。如曲线OD段称为反向截止区，此时电流称为反向饱和电流。实际应用中，反向电流越小说明二极管的反向电阻越大，反向截止性能越好。一般硅二极管的反向饱和电流在几十微安以下，锗二极管则达几百微安，大功率二极管稍大些。2）当反向电压增大到一定数值时，反向电流急剧加大，进入反向击穿区，D点对应的电压称为反向击穿电压。二极管被击穿后电流过大将使管子损坏，因此除稳压管外，二极管的反向电压不能超过击穿电压。
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