额定电流： 熔断器的额定电流INF是以电路中实际流过熔断器的电流有效值IF为基础，并考虑环境温度、冷却条件、电流裕度等因素影响进行计算。INF≥K×IF 式中：K值一般可取1.5~2。对于自冷式熔断器K取较大值，尤其对熔断器两端连接导线特别短的电路，需取最大值;对水冷式熔断器K取较小值。快速熔断器选用额定电流过大势必增加熔断器的I2tF值，对半导体器件的保护是有害的。 分断I2t： 当半导体器件与快速熔断器串联工作时，半导体器件允许通过的I2tD值应大于快速熔断器的I2tF值，不然熔断器熔断时，器件也被烧损。二者关系应满足： I2tF≤0.9I2tD 。 分断过电压： 熔断器在减弧过程中，在线路中产生的过电压，过高的过电压会使半导体器件产生反向击穿，因此分断过电压必须小于或者等于半导体器件允许反向峰值电压。快速熔断器熔断时产生的过电压(峰值)一般为故障电压(方均根值)的2~2.5倍左右。 额定分断能力： 快速熔断器的额定分断能力应大于半导体设备中快速熔断器分断时流过的故障电流峰值，一般应包括半导体设备中的变压器阀侧内部短路电流值及直流侧短路电流值，不然将会引起快速熔断器炸裂、串弧等事故。
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