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    但是各路之间在电路上必须相互隔离，以防干扰或误触发四路驱动信号根据触发相位分为两组，相位相反。图3为一路栅极驱动电路，整流桥B1、B2与电解电容C1、C2组成整流滤波电路，为驱动电路提供+25V和-15V直流驱动电压。光耦6N137的作用是实现控制电路与主电路之间的隔离，传递PWM信号。电阻R1与稳压管VS1组成PWM取样信号，电阻R2限制光耦输入电流。电阻R3、R4与稳压管VS3、VS4分别组成，分别为光耦和MOSFET管Q3提供驱动电平。Q3在光耦控制下，工作在开关状态。MOSFET管Q1、Q2组成推挽放大电路，将放大后的输出信号输入到IGBT门极，提供门极的驱动信号。当输入控制信号，光耦U导通，Q3截止，Q2导通输出+15V驱动电压。当控制信号为零时，光耦U截止，Q3、Q1导通，输出-15V电压，在IGBT关断时时给门极提供负的偏置，提高lGBT的抗干扰能力。稳压管VS3～VS6分别对Q2、Q1输入驱动电压限幅在-10V和+15V，防止Q1、Q2进入深度饱和，影响MOS管的响应速度。电阻R6、R7与电容C0为Q1、Q2组成偏置网络。其中的电容C0是为了在开通时，加速Q2管的漏极电流上升速度，为栅极提供过冲电流，加速栅极导通。图3栅极驱动电路原理IGBT栅极耐压一般在±20V左右。

    且所述压紧部32远离所述连接板311的一端朝背离所述挡板11的一侧斜向下延伸。本实施例，由于所述压紧部在工作时，远离所述连接板的一端会抵设在所述igbt单管的上侧，即相比于自然状态下，所述压紧部远离所述连接板的一端在工作时会略微向上抬起。本实施例，使所述压紧部在自然状态下，远离所述连接板的一端朝背离所述挡板的一侧斜向下延伸，这样，可以使所述压紧部远离所述连接板的一端在工作时仍然能够可靠地抵设在所述igbt单管上。如图2和图3所示，可选的，所述压紧部32远离所述连接部31的一端设置有工装槽321。本实施例，可以通过所述工装槽辅助抬起所述压紧部远离所述连接部的一端；具体的，可以将与所述工装槽适配的工装插入所述工装槽内，然后通过所述工装向上勾起所述压紧部的该端部，就可以在该压紧部的下方布置igbt单管了。本实施例中所述压紧部上的工装槽，与工装相互配合可以极大的方便所述压紧件的使用，提高所述igbt单管的安装效率。如图2和图3所示，作为上述实施例的一可选实施方式，在所述压紧部32远离所述连接板311的一端朝背离所述挡板11的一侧斜向下延伸的情况下，所述压紧部32远离所述连接部31的端部还斜向上翘起。

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