所选择的熔断器的额定电流不得小于电容器额定电流的。END半导体器件保护熔断器选用额定电压：快速熔断器的额定电压UN应稍大于快速熔断器熔断后两端出现的故障电路的外加交流电压。若半导体设备的负荷是有源逆变器、逆变型制动的电动机等逆变型负载时，应考虑半导体器件失控等引起设备直流侧短路的可能性，此时快速熔断器熔断时，熔片两端交流电压与直流电压叠加现象，快速熔断器的额定电压应按下式计算：UN≥Uac+Udo×1/√2式中：Uac：快速熔断器熔断后外加交流电压;Udo：半导体设备负载端逆变型直流电压。额定电流：熔断器的额定电流INF是以电路中实际流过熔断器的电流有效值IF为基础，并考虑环境温度、冷却条件、电流裕度等因素影响进行计算。INF≥K×IF式中：K值一般可取。对于自冷式熔断器K取较大值，尤其对熔断器两端连接导线特别短的电路，需取最大值;对水冷式熔断器K取较小值。快速熔断器选用额定电流过大势必增加熔断器的I2tF值，对半导体器件的保护是有害的。分断I2t：当半导体器件与快速熔断器串联工作时，半导体器件允许通过的I2tD值应大于快速熔断器的I2tF值，不然熔断器熔断时，器件也被烧损。二者关系应满足：I2tF≤。分断过电压：熔断器在减弧过程中。
在位于安装沉孔下方设置了连接柱结构，该装置结构新颖，具有安装方便、耐用不松动的特点，能有效提高电控装置的使用寿命，具有非常积极的应用和推广价值。附图说明图1为本实用新型一种新型熔断器底座的整体结构示意图；图2为本实用新型一种新型熔断器底座在另一个方向上的整体结构示意图；图3为本实用新型一种新型熔断器底座其俯视方向上的结构示意图；图4为本实用新型一种新型熔断器底座其仰视方向上的结构示意图；图5为本实用新型一种新型熔断器底座其前视方向上的结构示意图；图6为本实用新型一种新型熔断器底座其安装示意图，其中虚线部分为外置熔体装置。图中：1、底板；2、矩形凹槽；3、安装沉孔；4、导线板安装槽；5、导线板；6、锁紧螺栓；7、夹板；8、锁紧钢条；9、压片；10、连接螺栓；11、锁紧螺母；12、连接柱；13、横加强筋；14、纵加强筋；15、外置熔体装置。具体实施方式下面结合附图及具体实施例，对本实用新型作进一步的描述，以便于更清楚的理解本实用新型要求保护的技术思想。如图1至6所示本实用新型一种新型熔断器底座。
江苏芯钻时代电子科技有限公司，专业从事电气线路保护设备和电工电力元器件模块的服务与销售，具有丰富的熔断器、电容器、IGBT模块、二极管、可控硅、IC类销售经验的专业公司。公司以代理分销艾赛斯、英飞凌系列、赛米控系列，富士系列等模块为主，同时经营销售美国巴斯曼熔断器、 西门子熔断器、美尔森熔断器、力特熔断器等电气保护。
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