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深圳三极管 值得信赖 深圳市凯轩业供应

上传时间:2025-04-25 浏览次数:
文章摘要:稳压二极管在参数选择时,首先需要确定稳压值,这个与负载电路有关,由于稳压二极管并不是每个电压值都有,并且稳压值会存在一定的离散性,所以在选择稳压值时,可以根据负载的情况选择接近的稳压值,比如5V的负载可以选择的稳压二极管。确定了稳

稳压二极管在参数选择时,首先需要确定稳压值,这个与负载电路有关,由于稳压二极管并不是每个电压值都有,并且稳压值会存在一定的离散性,所以在选择稳压值时,可以根据负载的情况选择接近的稳压值,比如5V的负载可以选择的稳压二极管。确定了稳压二极管的稳压值之后,需要确定分压电阻的阻值。在这里的电阻主要起到两个作用:一个是提供稳压二极管的工作电流,另一个是限制稳压二极管的比较大电流。稳压二极管的电流低时,无法起到正常的稳压作用,过高会出现长久击穿。计算电阻的阻值,需要首先确定两个值,一个是输入的电压范围,另一个是负载电流的变化范围,还有另外的两个参数较小电流以及比较大电流,这个可以在稳压二极管的技术手册中查到。假设输入电压的范围为15V-18V,负载电流变化范围为5-15mA,输出稳压值为12V,稳压二极管的较小电流为,比较大电流为50mA。根据公式计算:(18V-12V)/(50mA+5mA)以上是稳压二极管使用时需要确定和计算的几个参数,应该特别主要的是,稳压二极管在使用时是不可以不串联电阻而直接并联在负载上使用的,这样在输入电压超过其稳压值时,不但不会起到稳压作用,还会引起发热损坏肖特基二极管和快恢复二极管区别:前者的恢复时间比后者小一百倍左右。深圳三极管

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三极管各区的工作条件:1.放大区:发射结正偏,集电结反偏:2.饱和区:发射结正偏,集电结正偏;3.截止区:发射结反偏,集电结反偏。半导体三极管的好坏检测a;先选量程:R﹡100或R﹡1K档位b;测量PNP型半导体三极管的发射极和集电极的正向电阻值:红表笔接基极,黑表笔接发射极,所测得阻值为发射极正向电阻值,若将黑表笔接集电极(红表笔不动),所测得阻值便是集电极的正向电阻值,正向电阻值愈小愈好.c;测量PNP型半导体三极管的发射极和集电极的反向电阻值:深圳三极管通过用万用表检测其正、反向电阻值,可以判别出二极管的电极,还可估测出二极管是否损坏。

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7、半导体二极管的识别方法:a;目视法判断半导体二极管的极性:一般在实物的电路图中可以通过眼睛直接看出半导体二极管的正负极.在实物中如果看到一端有颜色标示的是负极,另外一端是正极.b;用万用表(指针表)判断半导体二极管的极性:通常选用万用表的欧姆档(R﹡100或R﹡1K),然后分别用万用表的两表笔分别出接到二极管的两个极上出,当二极管导通,测的阻值较小(一般几十欧姆至几千欧姆之间),这时黑表笔接的是二极管的正极,红表笔接的是二极管的负极.当测的阻值很大(一般为几百至几千欧姆),这时黑表笔接的是二极管的负极,红表笔接的是二极管的正极.c;测试注意事项:用数字式万用表去测二极管时,红表笔接二极管的正极,黑表笔接二极管的负极,此时测得的阻值才是二极管的正向导通阻值,这与指针式万用表的表笔接法刚好相反。

场效应管与晶体管的比较(1)场效应管是电压控制元件,而晶体管是电流控制元件。在只允许从信号源取较少电流的情况下,应选用场效应管;而在信号电压较低,又允许从信号源取较多电流的条件下,应选用晶体管。(2)场效应管是利用多数载流子导电,所以称之为单极型器件,而晶体管是即有多数载流子,也利用少数载流子导电。被称之为双极型器件。(3)有些场效应管的源极和漏极可以互换使用,栅压也可正可负,灵活性比晶体管好。(4)场效应管能在很小电流和很低电压的条件下工作,而且它的制造工艺可以很方便地把很多场效应管集成在一块硅片上,因此场效应管根据其不同用途,可分为隔离二极管、肖特基二极管、发光二极管、硅功率开关二极管、旋转二极管等。

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激光二极管的检测1.阻值测量法拆下激光二极管,用万用表R×1k或R×10k档测量其正、反向电阻值。正常时,正向电阻值为20~40kΩ之间,反向电阻值为∞(无穷大)。若测得正向电阻值已超过50kΩ,则说明激光二极管的性能已下降。若测得的正向电阻值大于90kΩ,则说明该二极管已严重老化,不能再使用了。2.电流测量法用万用表测量激光二极管驱动电路中负载电阻两端的电压降,再根据欧姆定律估算出流过该管的电流值,当电流超过100mA时,若调节激光功率电位器(见图4-76),而电流无明显的变化,则可判断激光二极管严重老化。若电流剧增而失控,则说明激光二极管的光学谐振腔已损坏。大部分二极管所具备的电流方向性我们通常称之为“整流”功能。深圳场效应管

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肖特基二极管SBD(SchottkyBarrierDiode)它是具有肖特基特性的“金属半导体结”的二极管。其正向起始电压较低。其金属层除钨材料外,还可以采用金、钼、镍、钛等材料。其半导体材料采用硅或砷化镓,多为型半导体。这种器件是由多数载流子导电的,所以,其反向饱和电流较以少数载流子导电的PN结大得多。由于肖特基二极管中少数载流子的存贮效应甚微,所以其频率响但为RC时间常数限制,因而,它是高频和快速开关的理想器件。其工作频率可达100GHz。并且,MIS(金属-绝缘体-半导体)肖特基二极管可以用来制作太阳能电池或发光二极管。深圳三极管

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