场效应管与晶体管的比较（1）场效应管是电压控制元件，而晶体管是电流控制元件。在只允许从信号源取较少电流的情况下，应选用场效应管；而在信号电压较低，又允许从信号源取较多电流的条件下，应选用晶体管。（2）场效应管是利用多数载流子导电，所以称之为单极型器件，而晶体管是即有多数载流子，也利用少数载流子导电。被称之为双极型器件。（3）有些场效应管的源极和漏极可以互换使用，栅压也可正可负，灵活性比晶体管好。（4）场效应管能在很小电流和很低电压的条件下工作，而且它的制造工艺可以很方便地把很多场效应管集成在一块硅片上，因此场效应管深圳市凯轩业科技致力于晶体管产品研发及方案设计，有需要可以联系我司哦！深圳MOS二极管
红外发光二极管的检测1．正、负极性的判别红外发光二极管多采用透明树脂封装，管心下部有一个浅盘，管内电极宽大的为负极，而电极窄小的为正极。也可从管身形状和引脚的长短来判断。通常，靠近管身侧向小平面的电极为负极，另一端引脚为正极。长引脚为正极，短引脚为负极。2．性能好坏的测量用万用表R×10k档测量红外发光管有正、反向电阻。正常时，正向电阻值约为15~40kΩ（此值越小越好）；反向电阻大于500kΩ（用R×10k档测量，反向电阻大于200kΩ）。若测得正、反向电阻值均接近零，则说明该红外发光二极管内部已击穿损坏。若测得正、反向电阻值均为无穷大，则说明该二极管已开路损坏。若测得的反向电阻值远远小于500kΩ，则说明该二极管已漏电损坏。深圳MOS二极管二极管是由半导体组成的器件深圳市凯轩业电子科技有限公司。
1N5817肖特基二极管反压电流曲线STPS3H100V是另外一款反向电压较大的肖特基整流二极管。数据手册表明的反向电压大于100V，正向整流电流3A，电压0.327V。下图是它的反向电压电流曲线：STPS3H100V高压肖特基二极管的反向电压电流曲线发光二极管基本上不会工作在反向电压下。它们的反向耐压随着不同颜色而不同。下面是对几种不同颜色的LED的反向耐压进行测量结果。可以看到，蓝色LED反向耐压比较低，红色，橘黄色LED的反向耐压很高。不同颜色的LED反向击穿电压电流曲线
桥堆的检测1．全桥的检测大多数的整流全桥上，均标注有“+”、“-”、“~”符号（其中“+”为整流后输出电压的正极，“-”为输出电压的负极，“~”为交流电压输入端），很容易确定出各电极。检测时，可通过分别测量“+”极与两个“~”极、“-”极与两个“~”之间各整流二极管的正、反向电阻值（与普通二极管的测量方法相同）是否正常，即可判断该全桥是否已损坏。若测得全桥内鞭只二极管的正、反向电阻值均为0或均为无穷大，则可判断该二极管已击穿或开路损坏。2．半桥的检测半桥是由两只整流二极管组成，通过用万用表分别测量半桥内部的两只二极管的正、反电阻值是否正常，即可判断出该半桥是否正常变容二极管是利用PN结的电容随外加偏压而变化这一特性制成的非线性电容元件，被***地用于参量放大器.
场效应管(MOS管)1、场效应管英文缩写：FET(Field-effecttransistor)2、场效应管分类：结型场效应管和绝缘栅型场效应管3、场效应管电路符号：4、场效应管的三个引脚分别表示为:G(栅极),D(漏极),S(源极)注：场效应管属于电压控制型元件，又利用多子导电故称单极型元件，且具有输入电阻高，噪声小，功耗低，无二次击穿现象等优点。5、场效应晶体管的优点：具有较高输入电阻高、输入电流低于零，几乎不向信号源吸取电流，在在基极注入电流的大小，直接影响集电极电流的大小，利用输出电流控制输出电源的半导体。场效应晶体管利用场效应原理工作的晶体管，英文简称FET。深圳MOS二极管
场效应”的含义是这种晶体管的工作原理是基于半导体的电场效应的。深圳MOS二极管
1.限幅二极管两端加正向电压导通后，正向压降基本保持不变，可以将信号的幅度限制在一定的范围内。2.整流二极管有单向导电性，可以将方向交替变换的交流电转换为单一方向的脉冲直流电。3、续流在开关电源的电感中或继电器的感性负载中起到续流的作用。4、变容通过施加反向电压改变PN结的静电容量，达到变容的功能二极管具有阳极和阴极两个端子，电流只能往单一方向流动。也就是说，电流可以从阳极流向阴极，而不能从阴极流向阳极。对二极管所具备的这种单向特性的应用，通常称之为“整流”功能,可将交流电转变为脉动直流电深圳MOS二极管
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